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Memblaze的新品正在研發(fā)當(dāng)中，包括新一系列的PCIe/NVMe接口的PBlaze4閃存卡，Memblaze新品家族中還有一個(gè)FlashRAID控制器，這個(gè)PCIe 3.0控制器將使得一個(gè)存儲(chǔ)設(shè)備支持12個(gè)NVMe SSD（有4TB、8TB和16TB三種配置）。這個(gè)靈活的配置將提供全局磨損平衡功能已保證設(shè)備壽命最大化以及數(shù)據(jù)的安全。Memblaze在全球范圍內(nèi)獲得了巨大的成功，他們的產(chǎn)品進(jìn)入美國(guó)市場(chǎng)的同時(shí)也將面臨更多的競(jìng)爭(zhēng)。
Memblaze第一個(gè)競(jìng)爭(zhēng)力來(lái)源于其琴鍵技術(shù)，這項(xiàng)技術(shù)能夠提供多樣化的容量配置選擇，這在PCIe閃存卡市場(chǎng)上是不多見(jiàn)的。此外，Memblaze還提供了細(xì)粒度的控制以及產(chǎn)品運(yùn)行狀態(tài)監(jiān)控和MemSphere管理工具。用戶可以使用GUI管理工具輕松的查看板卡的運(yùn)行狀態(tài)，并實(shí)現(xiàn)多種控制功能。
Memblaze的SSD產(chǎn)品規(guī)格都是80%設(shè)備使用率，用戶可以對(duì)PBlaze3L進(jìn)行安全擦寫(xiě)并修改這一參數(shù)。此外，還有根據(jù)客戶的應(yīng)用需求，還有一些其他定制化的提升性能和耐擦寫(xiě)能力的功能。高性能模式能夠提高SSD的性能但是會(huì)造成容量的浪費(fèi)。
我們的測(cè)試中，80%設(shè)備使用率（高性能）模式下其性能非常高，是PCIe SSD市場(chǎng)上的領(lǐng)導(dǎo)者�；旌想S機(jī)讀的測(cè)試中PBlaze3L僅落后于美光的P420m（在隊(duì)列深度為256的條件下其性能表現(xiàn)是最好的），在隊(duì)列深度處于32～128之間（這也是實(shí)際應(yīng)用中最常見(jiàn)的場(chǎng)景）時(shí)，PBlaze3L的性能也是領(lǐng)先于其他產(chǎn)品的。我們并沒(méi)有發(fā)現(xiàn)在100隨機(jī)讀環(huán)境（超負(fù)載的情況下）中不同產(chǎn)品有巨大的差別。
在超負(fù)荷隨機(jī)寫(xiě)負(fù)載環(huán)境中，PBlaze3L 的成績(jī)一直處于第二的位置，PBlaze3L 在隨機(jī)寫(xiě)（包括低性能和高性能兩種模式）中都有著出色的表現(xiàn)，而在混合讀寫(xiě)環(huán)境中的測(cè)試，PBlaze3L 的成績(jī)更是遠(yuǎn)超其他參與測(cè)試的產(chǎn)品。
在純隨機(jī)讀/寫(xiě)環(huán)境中，PBlaze3L 的成績(jī)都不是很顯眼，在連續(xù)讀的測(cè)試中PBlaze3L 落后于其他的SSD產(chǎn)品，在連續(xù)寫(xiě)測(cè)試中位于第二位。
PBlaze3L主要優(yōu)勢(shì)在于混合連續(xù)讀/寫(xiě)。在服務(wù)器工作負(fù)載的測(cè)試中，PBlaze3L的OLTP和文件服務(wù)器測(cè)試成績(jī)都非常好，但是在純讀測(cè)試中落到了第三位。
最終Memblaze保證了性能不隨容量的變化而變化（一般情況下容量越低，產(chǎn)品性能也會(huì)隨之降低）。在掉電保護(hù)以及壞NAND 上數(shù)據(jù)重構(gòu)上，Memblaze都有技術(shù)保障。此外，Memblaze提供三年質(zhì)保，略低于5年質(zhì)保的標(biāo)準(zhǔn)�？偟膩�(lái)說(shuō)，在性能和功能上，PBlaze3L都給了我們深刻的印象，符合TweakTown最佳功能獎(jiǎng)的標(biāo)準(zhǔn)（ the TweakTown Best Features Award.）
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