閃迪還預(yù)覽了專注于大容量的數(shù)據(jù)中心級硬盤UltraQLC DC SN670，UltraQLC”的控制器配備了硬件加速器、支持?jǐn)U展至64通道、可按負(fù)載需求動態(tài)調(diào)節(jié)功耗，還有集成式的先進切換模式（Toggle Mode）總線多路復(fù)用控制技術(shù)。
切換模式Toggle Mode NAND可以利用雙倍數(shù)據(jù)速率接口加速傳輸，并利用多路復(fù)用器（Mux）管理數(shù)據(jù)通道，這些改進將更高效地管理NAND-SSD控制器數(shù)據(jù)流。
SN670采用PCIe Gen 5總線，標(biāo)稱容量64TB/128TB，計劃2025年第三季度上市。Solidigm和群聯(lián)（Phison）去年11月也發(fā)布了122.88TB SSD。
閃迪展示的企業(yè)級SSD容量演進路線圖顯示：2025年達128TB，2026年256TB，2027年512TB，之后將突破1PB（具體年份未公布）。
未來技術(shù)方面，閃迪提出“3D矩陣存儲器（DRAM）”以解決內(nèi)存墻（內(nèi)存容量與帶寬失衡）問題，正與比利時微電子研究中心（IMEC-是一個專注于納米科技的世界領(lǐng)先研究中心）合作開展4-8Gbit容量的CMOS開發(fā)項目。
閃迪提出的HBF（高帶寬閃存）概念旨在優(yōu)化NAND帶寬性能，聲稱能以同等成本實現(xiàn)與HBM相當(dāng)?shù)膸?，同時容量提升8至16倍。
在堆疊結(jié)構(gòu)中，HBM DRAM層將部分或全部被NAND層取代，通過邏輯晶圓和中介層連接主機GPU/CPU/TPU。例如，8層堆疊方案中：6片512GB NAND晶圓 + 2片HBM晶圓，總?cè)萘?.12PB；而傳統(tǒng)8層HBM芯片總?cè)萘績H192GB。
全HBF的8層堆疊容量可達4PB。閃迪稱，1.8萬億參數(shù)、16位權(quán)重的LLM需3.6PB內(nèi)存，可裝入8層HBF芯片。若手機搭載HBF芯片，則能運行640億參數(shù)的混合專家模型（MoE）。HBF計劃發(fā)展三代：第二代容量和讀取帶寬分別為初代1.5倍和1.45倍；第三代兩項指標(biāo)均翻倍，且能效逐代提升。
HBF與HBM非完全兼容，但電氣接口相同，“僅需少量協(xié)議修改”。閃迪計劃推動開放HBF標(biāo)準(zhǔn)生態(tài)，并組建由“行業(yè)領(lǐng)袖與合作伙伴”組成的技術(shù)顧問委員會。
如果美光、三星或SK海力士等廠商也采納HBF的技術(shù)理念，或?qū)⒋呱鼋鎯墐?nèi)存（Near-Storage-Class Memory）概念。
