
閃迪提出高帶寬閃存,對標(biāo)HBM,可讓手機(jī)運(yùn)行640億參數(shù)模型
閃迪(SanDisk)近日披露了三款即將推出的新SSD細(xì)節(jié),并公布了高帶寬閃存(High-Bandwidth Flash, HBF)技術(shù)規(guī)劃,HBF是對標(biāo)高帶寬DRAM(HBM)的NAND解決方案。 分拆在即,閃迪需向投資者證明其業(yè)務(wù)穩(wěn)固性...
閃迪(SanDisk)近日披露了三款即將推出的新SSD細(xì)節(jié),并公布了高帶寬閃存(High-Bandwidth Flash, HBF)技術(shù)規(guī)劃,HBF是對標(biāo)高帶寬DRAM(HBM)的NAND解決方案。 分拆在即,閃迪需向投資者證明其業(yè)務(wù)穩(wěn)固性...
隨著兩家公司經(jīng)歷基礎(chǔ)性變革,西部數(shù)據(jù)和鎧俠之間的NAND制造企業(yè)正面臨緊張局面。鎧俠由私募股權(quán)基金控股,正在籌備IPO,而西部數(shù)據(jù)則計(jì)劃將其NAND和SSD業(yè)務(wù)拆分。 2000年,東芝存儲與閃迪組建了一家聯(lián)合NAND制造企業(yè)。2016年,西...
據(jù)日媒報(bào)道,鎧俠7月將在四日市工廠開始量產(chǎn)其最先進(jìn)的218層 3D NAND Flash,與現(xiàn)行品相比,存儲容量提高約50%、寫入數(shù)據(jù)時(shí)所需的電力縮減約30%。鎧俠產(chǎn)線稼動(dòng)率已在6月回升至100%。 鎧俠此前曾宣布,將攜手西部數(shù)據(jù)投資7,2...
去年AIGC帶動(dòng)了HBM的市場需求,這是因?yàn)楦咝阅蹽PU顯卡都需要用到大量HBM內(nèi)存,而AIGC的發(fā)展需要用到大量顯卡。在今年,QLC NAND閃存迎來高光時(shí)刻,同樣也是因?yàn)锳IGC。 當(dāng)前很多人都非??春肁IGC的未來發(fā)展,相關(guān)個(gè)股以英偉...
據(jù)日本媒體報(bào)道,存儲器大廠鎧俠近日宣布,將從其第10代NAND產(chǎn)品開始,在制程中引入低溫蝕刻這一前沿技術(shù),以進(jìn)一步提升生產(chǎn)效率,并追趕全球領(lǐng)先的競爭對手。 報(bào)道稱,鎧俠計(jì)劃于2026年量產(chǎn)第10代NAND,并決定采用低溫蝕刻技術(shù)。該技術(shù)允許...
如今的NAND閃存就像空氣中的氧氣一樣,無處不在。無論是你的口袋里的智能手機(jī),還是你的電腦,再到數(shù)據(jù)中心里的服務(wù)器,都少不了閃存的身影。 閃存為我們的現(xiàn)代數(shù)字生活提供必要的存儲能力。無論是在社交媒體上上傳一張照片,還是在線觀看一部電影,甚至...
如今的NAND閃存就像空氣中的氧氣一樣,無處不在。無論是你的口袋里的智能手機(jī),還是你的電腦,再到數(shù)據(jù)中心里的服務(wù)器,都少不了閃存的身影。 閃存為我們的現(xiàn)代數(shù)字生活提供必要的存儲能力。無論是在社交媒體上上傳一張照片,還是在線觀看一部電影,甚至...
閃存的發(fā)展史可以追溯到1967年,當(dāng)貝爾實(shí)驗(yàn)室的Dawon Kahng和Simon Sze共同發(fā)明了浮柵MOSFET,這是所有閃存,EEPROM和EPROM的基礎(chǔ)?。 1967年,貝爾實(shí)驗(yàn)室江大原(Dawon Kahng,韓裔)和施敏博士(...
隨著企業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型的快速發(fā)展,數(shù)據(jù)呈現(xiàn)爆發(fā)增長趨勢,大數(shù)據(jù)、云計(jì)算、AI等新興技術(shù)的發(fā)展使得數(shù)據(jù)來源和結(jié)構(gòu)變得更加復(fù)雜多樣,基于數(shù)據(jù)的智慧應(yīng)用不斷涌現(xiàn),帶來了對數(shù)據(jù)存儲質(zhì)量、傳輸速度等性能需求的提升。固態(tài)硬盤憑借著高性能及其價(jià)格的持續(xù)優(yōu)化、...
英特爾創(chuàng)新傳統(tǒng)與 SK 海力士投資結(jié)合,塑造數(shù)據(jù)內(nèi)存和存儲未來