HBM與HBF：AI內(nèi)存革命的雙軌演進(jìn)
2023年至2025年間，HBM（高帶寬內(nèi)存）作為AI基礎(chǔ)設(shè)施構(gòu)建中不可替代的關(guān)鍵器件，迅速成為全球AI芯片企業(yè)的剛需。 尤其在AI訓(xùn)練、高性能計(jì)算領(lǐng)域，HBM3/3e成為高端算力芯片的標(biāo)配，包括英偉達(dá)GH200、AMD MI300系列及國(guó)...
崔 歡歡先進(jìn)存力 共 3 篇文章
標(biāo)簽：HBF
崔 歡歡先進(jìn)存力 
Sandisk閃迪與SK海力士攜手推動(dòng)高帶寬閃存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化
2025年8月8日，閃迪公司正式宣布與SK海力士簽署具有里程碑意義的諒解備忘錄（Memorandum of Understanding，MOU），雙方將攜手制定高帶寬閃存（High Bandwidth Flash，HBFTM）技術(shù)規(guī)范。這項(xiàng)...
朱 朋博
閃迪提出高帶寬閃存，對(duì)標(biāo)HBM，可讓手機(jī)運(yùn)行640億參數(shù)模型
閃迪（SanDisk）近日披露了三款即將推出的新SSD細(xì)節(jié)，并公布了高帶寬閃存（High-Bandwidth Flash, HBF）技術(shù)規(guī)劃，HBF是對(duì)標(biāo)高帶寬DRAM（HBM）的NAND解決方案。 分拆在即，閃迪需向投資者證明其業(yè)務(wù)穩(wěn)固性...