測(cè)試數(shù)據(jù)驗(yàn)證MLC性能退步
王欣 發(fā)表于:13年05月08日 11:00 [轉(zhuǎn)載] 天極網(wǎng)
測(cè)試數(shù)據(jù)驗(yàn)證MLC性能退步
如果將上面這些理論落實(shí)到評(píng)測(cè)數(shù)據(jù)里,國(guó)外媒體Anandtech通過(guò)測(cè)試數(shù)據(jù)證實(shí)了20nm MLC究竟有多差勁。以下是一部分參考截圖。
測(cè)試數(shù)據(jù)總結(jié)下來(lái)就9個(gè)字:速度慢延遲長(zhǎng)功耗高。不過(guò)對(duì)于廠商來(lái)說(shuō),工藝提升意味著成本降低,任何負(fù)面都是無(wú)法阻止工藝提升的腳步的,用戶(hù)能做的只有慢慢習(xí)慣性能越來(lái)越差的新產(chǎn)品。
說(shuō)到最后再提一個(gè)假設(shè):是不是在某個(gè)時(shí)間點(diǎn),企業(yè)級(jí)的芯片存儲(chǔ)和民用級(jí)的芯片存儲(chǔ)會(huì)因?yàn)樵V求分歧過(guò)大而徹底分道揚(yáng)鑣?
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