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新工藝帶來(lái)的不僅是壽命問(wèn)題

今年的CES，SSD固態(tài)硬盤(pán)廠商鎂光發(fā)布了新品：Crucial M500系列SSD固態(tài)硬盤(pán)，將2.5寸固態(tài)硬盤(pán)的容量提升到了960GB。從參數(shù)表上來(lái)看，960GB的產(chǎn)品似乎還不錯(cuò)，讀取500MB/s，寫(xiě)入 400MB/s，4K讀寫(xiě)都達(dá)到了80K IOPS，三年質(zhì)保。

然而就像你永遠(yuǎn)無(wú)法從筆記本或者手機(jī)的參數(shù)表里知道所有重要信息一樣，如果深究起來(lái)，20nm工藝制造的128Gbit存儲(chǔ)顆粒問(wèn)題也不少。

這張圖列舉了MLC顆粒在50納米到20納米之間的性能差異，而960GB固態(tài)硬盤(pán)使用的就是最后一組，即20納米128Gbit存儲(chǔ)顆粒。這張圖已經(jīng)清楚的將工藝提升帶來(lái)的性能參數(shù)全面衰退記錄了下來(lái)，尤其是前一頁(yè)提到的壽命縮水，MLC壽命已經(jīng)隨著工藝提升縮水掉了70%。

但是很意外的是除了壽命縮水之外，MLC引以為傲的性能優(yōu)勢(shì)也被新工藝抹殺掉了。這張圖沒(méi)有將TLC的性能規(guī)格放進(jìn)去做對(duì)比。如果這件事由我來(lái)代勞的話，可以看到這樣一組對(duì)比數(shù)據(jù)。

本圖中的MLC是指50納米版本，因此要結(jié)合前面一張圖最后一列看。TLC的讀取延遲是75us，20納米MLC是115us，TLC編程延遲是900到1350us，而20納米MLC是1600us，擦除延遲TLC是4.5ms，20納米MLC是3.8ms。也就是說(shuō)，新工藝MLC在某些關(guān)鍵參數(shù)上甚至還不如天生不靠譜的TLC。