創(chuàng)新、突破，是研發(fā)人員不變的信念。一年前，微電子研究所重點實驗室劉明院士團隊率先在三維存算一體芯片領(lǐng)域取得重要進展。其團隊研發(fā)了基于三維阻變存儲器存內(nèi)計算宏芯片，有效應(yīng)對阻變存儲器應(yīng)用于大規(guī)模神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)所面臨的諸多挑戰(zhàn)，解決了由于三維阻變存儲器陣列單元電導(dǎo)波動引起的在傳統(tǒng)并行字線輸入原位乘累加方案下不可恢復(fù)的讀出電流失真等難題，提供了更為準確的大腦MRI邊緣檢測以及更高的CIFAR–10數(shù)據(jù)集推理精度。

近日業(yè)界報道，劉明院士團隊再次提出了一種考慮溫度效應(yīng)的鐵電陣列操作方法，目前在128kb 1T1C FeRAM陣列上得以驗證，證明在該方法操作下鐵電陣列可實現(xiàn)高溫下的高可靠性操作。

據(jù)了解，鐵電存儲器（FeRAM）具有良好的可微縮性和CMOS工藝兼容性等優(yōu)勢，同時，F(xiàn)eRAM特性又對溫度極其敏感，因此性能受溫度影響極大。減輕溫度對于FRAM陣列性能的影響，成為重要課題。

研究發(fā)現(xiàn)，在鐵電陣列操作中，傳統(tǒng)陣列操作方法在高溫下會導(dǎo)致誤讀。通過材料表征和電學(xué)測量等手段，研究團隊系統(tǒng)分析了剩余極化在高溫下降低的機理。電子去俘獲引起的內(nèi)建電場的增加，是導(dǎo)致剩余極化值降低的主要原因。故研究人員建立考慮溫度效應(yīng)的動態(tài)蒙特卡洛模型，通過仿真技術(shù)實現(xiàn)了有效減輕溫度影響的操作電壓。

半導(dǎo)體存儲器分為易失性和非易失性，劉明院士認為，易失存儲器在過去幾十年發(fā)展中沒有很大的變化，依然以靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）和動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）為主，而非易失存儲器不斷有新技術(shù)涌現(xiàn)。例如，鐵電存儲器（FRAM）、相變存儲器（PRAM）、磁存儲器（MRAM）和阻變存儲器（RRAM）等等。有關(guān)閃存技術(shù)的演進，以及市場的變化和趨勢，更多話題，將在2023全球閃存峰會上有更多呈現(xiàn)，歡迎關(guān)注。

nina