行業(yè)觀察人士分析，此舉標志著美國政府正試圖將關稅利劍延伸至半導體全產業(yè)鏈。在臺積電、三星等企業(yè)完成美國本土建廠布局后，白宮開始通過關稅杠桿施壓半導體設備及材料供應商進行產能轉移。

供應鏈承壓倒逼漲價 三星向終端市場轉嫁危機

據(jù)韓國媒體《朝鮮日報》報道，對于三星來說，其大部分DRAM產能均在韓國華城和平澤等地的工廠生產。然而，三星電子西安工廠卻是該公司最大的NAND Flash閃存生產基地，占其總產能的40%以上。數(shù)據(jù)顯示，該基地2024年晶圓年產量已達57萬片，貢獻全球44%的NAND供應。關稅政策的任何變動都將直接沖擊三星近半數(shù)的閃存產能。

據(jù)知名媒體Tech in Asia報道，由于美國近期出臺的法規(guī)限制向中國出口AI半導體產品，同時中國是三星芯片的最大銷售市場，后續(xù)三星電子或將遭遇諸多挑戰(zhàn)。2024年，中國市場銷售額占三星總業(yè)績的31%，這得益于部分中國公司在美國限制之前大量囤積HBM芯片。

據(jù)韓國媒體《Newsis》報道，三星曾借助《芯片法案》補貼，斥資170億美元在德州泰勒市建設晶圓廠。截至2023年末，該工廠建設工程已完成99.6%，即將進入設備調試階段。由于半導體設備通常在建廠后半年內完成進口，關稅政策調整時間窗口與設備進口期高度重疊。目前，泰勒工廠的投產時間已從2024年年底推遲到2026年，2年的投產真空期難以帶來收益，可能會導致三星在業(yè)績節(jié)節(jié)敗退下的本就承壓的資金鏈雪上加霜。

3月17日，三星電子會長李在镕發(fā)出警告，稱公司“失去內生動力，正處于生死存亡關頭”，并要求高管“應對危機不留余地”。這一表態(tài)反映了三星內外部面臨的嚴峻形勢——AI芯片業(yè)務落后于英偉達和SK海力士，疊加可能的關稅沖擊，公司利潤空間正被進一步壓縮。

為緩解經營壓力，三星計劃對主要客戶實施3%-5%的存儲芯片提價方案。官方解釋稱，DRAM、NAND及HBM等產品因市場需求激增將持續(xù)漲價至2026年。借助市場冠冕堂皇的漲價理由難掩三星黔驢技窮下唯有向市場轉嫁成本壓力的窘境，據(jù)了解DRAM具備大宗產品屬性，以全球市場34%的業(yè)績貢獻占據(jù)三星電子營收的半壁江山，產品漲價讓市場買單無疑成了三星當下的無奈之舉。

在此背景下，三星漲價后的新合同談判已經開始推進。此次漲價可視為三星向終端市場轉嫁損失的舉措。然而，這種策略可能會引發(fā)市場的連鎖反應，不僅對終端消費者的購買成本產生影響，也可能對整個產業(yè)鏈上下游的供需關系和價格體系帶來新的變數(shù)。

重金游說難見成效 戰(zhàn)略布局陷入困局

面對復雜國際貿易環(huán)境，三星持續(xù)加碼政治游說。美國參議院披露文件顯示，三星美國子公司3月與游說機構Continental Strategy簽訂新約，重點攻關通信及半導體政策領域。值得注意的是，Continental Strategy的合伙人凱蒂·威爾斯（Katie Wiles）與白宮幕僚長蘇西·威爾斯（Susan Wiles）存在直系親屬關系。

此外，美國參議院于1月22日發(fā)布的游說支出報告顯示，2024年三星在美政治游說投入創(chuàng)下698萬美元的韓企新高。在這些巨額游說資金中，有相當一部分流向了對華強硬派的邁克·加拉格爾。他曾多次向拜登政府施壓，要求進一步加強對中國半導體產業(yè)的限制措施，例如提議將中國的半導體領軍企業(yè)長鑫存儲等納入出口管制名單，并嚴格限制美國技術向這些中國企業(yè)出口。

然而，2025年3月，美國總統(tǒng)川普宣稱將廢除《芯片法案》，取消對半導體企業(yè)的補貼。據(jù)英國《金融時報》報道，目前三星仍難以獲得美國大客戶支持。顯然，這家韓國巨頭戰(zhàn)略布局已陷入進退維谷的境地。

nina