多芯片封裝產(chǎn)品成市場(chǎng)主流
多芯片封裝(MCP)技術(shù)可以將FLASH、DRAM等不同規(guī)格的芯片利用系統(tǒng)封裝方式整合成單一芯片,生產(chǎn)時(shí)間短、制造成本低,且具低功耗、高數(shù)據(jù)傳輸速率等優(yōu)勢(shì),已經(jīng)是便攜式電子產(chǎn)品內(nèi)置內(nèi)存產(chǎn)品最主要的規(guī)格。另外,數(shù)字電視、機(jī)頂盒、網(wǎng)絡(luò)通信產(chǎn)品等也已經(jīng)開始采用各式MCP產(chǎn)品。
2004年,MCP的全球需求量由2003年的2.3億塊增長(zhǎng)到3.4億塊,增長(zhǎng)了47.8%。預(yù)計(jì)2005年全球需求量將達(dá)到4.2億塊。包括Samsung、Hynix、Intel等重量級(jí)IC廠商都紛紛看好此市場(chǎng)前景,競(jìng)相推出相關(guān)產(chǎn)品。目前Renesas的嵌入式存儲(chǔ)器出貨量中大約90%是MCP,Spansion公司無(wú)線市場(chǎng)上存儲(chǔ)器的出貨量80%也是MCP,而兩年前這一比例只有30%。
SRAM發(fā)展面臨挑戰(zhàn)
針對(duì)不同的應(yīng)用市場(chǎng),SRAM產(chǎn)品的技術(shù)發(fā)展已經(jīng)呈現(xiàn)出了兩大趨勢(shì):一是向高性能通信網(wǎng)絡(luò)所需的高速器件發(fā)展;另一個(gè)是降低功耗,以適應(yīng)蓬勃發(fā)展的便攜式應(yīng)用市場(chǎng)。
2004年,手機(jī)等移動(dòng)終端市場(chǎng)對(duì)SRAM的需求約占總需求的50%左右,另有30%左右的SRAM產(chǎn)品被通信市場(chǎng)消化。
未來(lái)SRAM市場(chǎng)的增長(zhǎng)將是平穩(wěn)和漸進(jìn)的。這種特點(diǎn)一方面與其所服務(wù)的應(yīng)用市場(chǎng)的發(fā)展有關(guān),更重要的一點(diǎn)是傳統(tǒng)的SRAM技術(shù)正在受到其他競(jìng)爭(zhēng)性的DRAM技術(shù)的沖擊。例如,在高速網(wǎng)絡(luò)方面,F(xiàn)CRAM和RLDRAM技術(shù)正在相互競(jìng)爭(zhēng)中快速成長(zhǎng);在便攜式應(yīng)用領(lǐng)域,諸如CellularRAM與Mobile FCRAM等PSRAM產(chǎn)品也正在逐漸擠壓原先由SRAM獨(dú)占的低功耗應(yīng)用空間。
DDR2成主流尚需時(shí)日
在2004年第二季度舉辦的Intel信息技術(shù)峰會(huì)(IDF)上,許多DRAM廠商都推出了DDR2產(chǎn)品的樣片,但是,DDR2成為市場(chǎng)主流還需要時(shí)日。目前,DDR2產(chǎn)品的價(jià)格還很高。而DDR2產(chǎn)品價(jià)格偏高主要因素有以下幾個(gè)方面:首先,因?yàn)镈DR2器件尺寸的增加,每個(gè)晶圓上生產(chǎn)出更少的器件;其次,DDR2采用了成本較高的BGA封裝和速度更快的測(cè)試,也增加了成本。通常,產(chǎn)品在進(jìn)入市場(chǎng)的前6個(gè)季度都會(huì)存在價(jià)格偏高的現(xiàn)象,隨著技術(shù)的發(fā)展和產(chǎn)量的增加,DDR2產(chǎn)品的價(jià)格將會(huì)不斷下降。總之,DDR和DDR2產(chǎn)品還必然會(huì)在市場(chǎng)上并存很長(zhǎng)一段時(shí)間。
手機(jī)成技術(shù)發(fā)展推動(dòng)力
手機(jī)正在取代PC成為高密度半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的技術(shù)驅(qū)動(dòng)器,而且很可能在未來(lái)幾年主導(dǎo)存儲(chǔ)器市場(chǎng)的發(fā)展。隨著市場(chǎng)從簡(jiǎn)單的語(yǔ)音終端轉(zhuǎn)向功能電話、智能電話及移動(dòng)媒體網(wǎng)關(guān),這種小型的設(shè)備已經(jīng)具備操作系統(tǒng)及文件系統(tǒng)。
為了滿足這種市場(chǎng)需求,一場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)已經(jīng)在四種產(chǎn)品中展開:目前用于保存易失數(shù)據(jù)的DRAM存儲(chǔ)器,用于代碼存儲(chǔ)的NOR FLASH,試圖提高速度以超越附加卡應(yīng)用的NAND FLASH,以及已經(jīng)在一些功能電話中出現(xiàn)的微型硬盤。
在2004年Electronica展覽會(huì)上,Samsung發(fā)布了采用90納米工藝的1Gb OneNAND。這種帶有一個(gè)NOR接口的NAND閃存具有高達(dá)5Kb的內(nèi)部緩存RAM,它能提供100 Mbps的恒定讀取速率,這比現(xiàn)有的NAND FLASH快4倍。M-Systems提供了基于NAND的固態(tài)磁盤仿真硬件。該產(chǎn)品可以將媒體數(shù)據(jù)直接寫入系統(tǒng),而不必將其在DRAM中進(jìn)行緩存,可以減少系統(tǒng)中DRAM的數(shù)量。Spansion聲稱將把其NOR MirrorBit FLASH發(fā)展成與普通NAND FLASH具有相同密度和價(jià)位水平的產(chǎn)品,同時(shí)提供更快的速度和更高的可靠性。
數(shù)字電視將成市場(chǎng)第二推動(dòng)力
在消費(fèi)性電子市場(chǎng)里,由于數(shù)字電視采用密度相對(duì)較高的DRAM,一旦數(shù)字電視開始大量出貨時(shí),它將很有可能成為影響DRAM市場(chǎng)的重要因素。
數(shù)字電視用存儲(chǔ)器基本上與其分辨率和顯示屏幕大小有關(guān)。由于影像處理需大量數(shù)據(jù)傳輸與運(yùn)算,因此數(shù)字電視使用內(nèi)存密度大約在2Mb到16Mb這個(gè)范圍。一般而言,分辨率愈高、屏幕面積愈大,所需的內(nèi)存密度也愈高。在某些高端數(shù)字電視機(jī)里,DDR DRAM也被采用。
手機(jī)存儲(chǔ)器容量攀升
手機(jī)里的存儲(chǔ)器大多使用LP SRAM,因?yàn)镾RAM比DRAM省電。但是隨著未來(lái)手機(jī)、PDA等產(chǎn)品的分界線越來(lái)越模糊,手機(jī)上的功能也越來(lái)越多,這將使手機(jī)對(duì)存儲(chǔ)器容量的需求逐漸攀升。在容量提升方面有所限制的LP SRAM將逐漸被淘汰。1T SRAM及LP DRAM在容量方面都比LP SRAM高,而1T SRAM消耗的電量比較少,所以1T SRAM在手機(jī)上使用的優(yōu)勢(shì)又相對(duì)較高。此外,廠商為了節(jié)省空間,也會(huì)將LP SRAM及NOR FLASH以多芯片封裝的方式封裝成一個(gè)堆棧式內(nèi)存芯片。未來(lái),若存儲(chǔ)器二線廠商打算進(jìn)入手機(jī)用存儲(chǔ)器市場(chǎng),最好先與提供手機(jī)用FLASH的國(guó)際大廠合作;若選擇采用二線廠商或用自產(chǎn)的FLASH芯片,則建議以低價(jià)策略取得與手機(jī)廠商合作的機(jī)會(huì)。
直銷與分銷模式長(zhǎng)期并存
中國(guó)除了聯(lián)想、方正這些PC制造大廠外,還有大量二線廠商以及遍及全國(guó)各地的DIY用戶。另外,像深圳的記憶科技和南方高科等本土DRAM模組廠商的規(guī)模也不斷壯大,因此,除了大訂單的合約客戶需求以外,還有大量的現(xiàn)貨市場(chǎng)需求。
在數(shù)字消費(fèi)領(lǐng)域,除了華旗資訊、聯(lián)想、朗科、中科存儲(chǔ)等品牌廠商外,還有像臺(tái)均這樣的大型OEM廠商。另外,在深圳、東莞一帶分布著數(shù)以百計(jì)的MP3、移動(dòng)存儲(chǔ)器廠商。
為滿足多層次的市場(chǎng)需求,未來(lái)中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器營(yíng)銷渠道必將是針對(duì)大客戶的直銷與面向眾多小客戶的分銷并存。
供貨水平成客戶關(guān)注點(diǎn)
隨著IT市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的不斷加劇,如何能夠及時(shí)針對(duì)市場(chǎng)需求變化特點(diǎn),提供適銷對(duì)路的產(chǎn)品至關(guān)重要。對(duì)于存儲(chǔ)器廠商來(lái)說(shuō),及時(shí)、快速的供貨能力是市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)成敗的關(guān)鍵所在。
越來(lái)越多的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器廠商加大了對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)的開拓力度。未來(lái)幾年,存儲(chǔ)器市場(chǎng)朝渠道扁平化方向發(fā)展。更多的存儲(chǔ)器廠商將加大進(jìn)入中國(guó)市場(chǎng)的力度,通過(guò)與本地集成電路廠商、本土存儲(chǔ)器模組廠商以及本地渠道商的合作,提高供貨水平。
專業(yè)分工越來(lái)越強(qiáng)
從未來(lái)幾年中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)的發(fā)展趨勢(shì)來(lái)看,專業(yè)化的分工越來(lái)越明顯,存儲(chǔ)器廠商將專注于上游芯片供應(yīng)商的角色,將更多的存儲(chǔ)器模組、渠道、服務(wù)等環(huán)節(jié)外包給其他廠商。
DRAM廠商除了提供DRAM芯片,還向OEM客戶提供DRAM內(nèi)存模組。隨著KINGSTON、KINMAX等內(nèi)存模組廠商的不斷壯大,其在銷售渠道、品牌知名度、售后服務(wù)等方面具有很強(qiáng)的優(yōu)勢(shì)。此外,像記憶科技、南方高科等本土內(nèi)存模組廠商憑借本地化運(yùn)作優(yōu)勢(shì),在中國(guó)OEM以及品牌電腦市場(chǎng)獲得了很高的市場(chǎng)份額。
2005年我國(guó)市場(chǎng)FLASH一枝獨(dú)秀
消費(fèi)與汽車電子領(lǐng)域未來(lái)增長(zhǎng)最快
2005年全球筆記本電腦產(chǎn)業(yè)向中國(guó)轉(zhuǎn)移速度趨緩,中國(guó)筆記本電腦和移動(dòng)電話的產(chǎn)量增速也逐漸放緩,因此預(yù)計(jì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模增速也放緩,由2004年的43.4%降低為2005年的20.7%。在隨后的兩年里,由于微軟新的操作系統(tǒng)的發(fā)布帶來(lái)的更換機(jī)器新潮流、中國(guó)汽車電子的高速發(fā)展以及泛網(wǎng)社會(huì)的到來(lái),都給半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)帶來(lái)大量需求,預(yù)計(jì)市場(chǎng)增速在2007年達(dá)到高峰,為37.6%,市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到1169.7億元,而2008年以后,市場(chǎng)增長(zhǎng)逐漸放緩,呈現(xiàn)平穩(wěn)增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。
中國(guó)DRAM市場(chǎng)的需求主要來(lái)自臺(tái)式PC及筆記本電腦。隨著未來(lái)幾年中國(guó)PC以及筆記本電腦產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)放慢,對(duì)DRAM的市場(chǎng)需求也逐漸放緩。雖然DDR2 SDRAM逐漸成為主流,微軟Longhorn操作系統(tǒng)即將推出,都使市場(chǎng)增長(zhǎng)產(chǎn)生一個(gè)跳躍,但DRAM市場(chǎng)終將因?yàn)槿鄙傩碌脑鲩L(zhǎng)點(diǎn),在2007年以后增速再次放緩,在2009年達(dá)到873.3億元。
在未來(lái)的幾年中,F(xiàn)LASH市場(chǎng)會(huì)在移動(dòng)電話、數(shù)碼相機(jī)、移動(dòng)存儲(chǔ)器、MP3和數(shù)碼攝像機(jī)的帶動(dòng)下高速增長(zhǎng)。預(yù)計(jì)未來(lái)幾年,F(xiàn)LASH市場(chǎng)將以超過(guò)20%的增長(zhǎng)速度高速增長(zhǎng),并在2009年達(dá)到759.4億元。
移動(dòng)電話是SRAM的最大需求領(lǐng)域,未來(lái)幾年,隨著手機(jī)功能的增強(qiáng),為了縮小體積,越來(lái)越多的SRAM被內(nèi)置進(jìn)FLASH,同時(shí)還受到SRAM接口、DRAM內(nèi)核和PSRAM的沖擊,預(yù)計(jì)未來(lái)幾年SRAM市場(chǎng)不會(huì)有較大發(fā)展。
EEPROM、EPROM、MASK ROM則受到低密度FLASH價(jià)格降低的沖擊,市場(chǎng)規(guī)模增幅不大。而FLASH MCU的大量使用也會(huì)降低對(duì)EEPROM、EPROM、MASK ROM的市場(chǎng)需求。另外,F(xiàn)RAM、PFRAM及OUM等新型存儲(chǔ)器芯片將會(huì)有所發(fā)展,但受到價(jià)格高、廠商使用習(xí)慣等因素影響,未來(lái)幾年仍不會(huì)對(duì)DRAM、FLASH的市場(chǎng)有多少影響,短期內(nèi)市場(chǎng)占有率不會(huì)出現(xiàn)太大增長(zhǎng)。