NEO半導體推出3D X-DRAM，開啟DRAM三維化時代新篇章
近日，NEO半導體拓展了3D X-DRAM概念，推出了新變體技術(shù)。這項技術(shù)以3D堆疊結(jié)構(gòu)為核心理念，借鑒3D NAND閃存的經(jīng)驗，結(jié)合創(chuàng)新型單元結(jié)構(gòu)和新材料的應(yīng)用，旨在突破傳統(tǒng)DRAM在密度、功耗與性能方面的技術(shù)瓶頸，對高性能計算（HPC）...
崔 歡歡先進存力 共 89 篇文章
標簽：DRAM
崔 歡歡先進存力 
三星業(yè)績增長乏力，聚焦中國市場尋求突破
4月8日，三星發(fā)布Q1財報，三星電子當季初步營業(yè)利潤約達6.6萬億韓元（折合45億美元），同比下降0.15%。這一業(yè)績表現(xiàn)凸顯該科技巨頭在新興人工智能市場布局中的滯后態(tài)勢。值得注意的是，即便存儲芯片市場價格呈現(xiàn)回暖趨勢，這家曾經(jīng)的半導體行業(yè)...
張 妮娜業(yè)界動態(tài) 
每天蒸發(fā)3億美元，韓國半導體危險了?
據(jù)路透社報道,2025年3月19日,三星電子在水原會展中心召開了第56屆股東大會。會議期間,股東對三星半導體業(yè)務(wù)提出諸多質(zhì)疑。對此,半導體暨裝置解決方案(DS)部門負責人、副會長全永鉉表示,在人工智能競爭的時代,HBM是一個極具代表性的組件...
張 妮娜業(yè)界動態(tài) 
SF1.4制程取消？韓國半導體或面臨困獸之斗
行業(yè)相關(guān)人士@Jukanlosreve于3 月 14 日在 X 平臺發(fā)布推文，曝料稱三星半導體代工業(yè)務(wù)陷入危機，由于 3nm（SF3）節(jié)點良率問題持續(xù)未解，疊加 5nm、7nm 產(chǎn)線利用率不足被迫關(guān)停等影響，可能取消原計劃于 2027 年底...
張 妮娜業(yè)界動態(tài) 
以工藝窗口建模探索路徑:使用虛擬制造評估先進DRAM電容器圖形化的工藝窗口
—— 使用虛擬制造為先進DRAM結(jié)構(gòu)中的電容器形成工藝進行工藝窗口評估和優(yōu)化 持續(xù)的器件微縮導致特征尺寸變小，工藝步驟差異變大，工藝窗口也變得越來越窄[1]。半導體研發(fā)階段的關(guān)鍵任務(wù)之一就是尋找工藝窗口較大的優(yōu)秀集成方案。如果晶圓測試數(shù)據(jù)不...
謝 世誠業(yè)界動態(tài) 華邦電子三大產(chǎn)品線將首次亮相慕尼黑上海電子展
全球半導體存儲解決方案領(lǐng)導廠商華邦電子將于7月11日?– 7月13日首次亮相慕尼黑上海電子展7.2館B206。屆時，TrustME、Flash、DRAM三大明星產(chǎn)品線以及華邦電子合作伙伴生態(tài)產(chǎn)品將悉數(shù)亮相，更有行業(yè)專家與到場觀眾...
張 妮娜業(yè)界動態(tài) 
美光量產(chǎn)首款1α節(jié)點DRAM芯片，實現(xiàn)超高密度不用EUV光刻機
6月中下旬美光開始出貨使用1α節(jié)點制造的LPDDR4X芯片。
崔 歡歡先進存力 
2021年的存儲芯片市場，DRAM將占56％，閃存占43％
預計2022年，內(nèi)存IC（集成電路）銷售額將達到1804億美元
崔 歡歡先進存力 
三星NVMe 980固態(tài)硬盤兼具速度和可靠性， 為消費級固態(tài)硬盤展現(xiàn)新風采
三星首款DRAM-less固態(tài)硬盤,消費者以更高性價比體驗NVMe速度 韓國首爾— 2021年3月10日電—擁有先進存儲技術(shù)的三星電子于今日宣布推出NVMe 980固態(tài)硬盤[1],這是三星電子首款DRAM-less消費級固態(tài)硬盤。980固態(tài)...
張 妮娜業(yè)界動態(tài) 
更快、更高、更好，M2M物聯(lián)網(wǎng)硬件發(fā)展的歷史必然
2016年，在谷歌旗下的DeepSmind還沒通過AlphaGo一戰(zhàn)成名之前，Deepmind在AI（人工智能）方面最為人知的成就，是運用AI大大降低了谷歌一個數(shù)據(jù)中心服務(wù)器的溫控系統(tǒng)的電量消耗。40%的能耗節(jié)省，當時令人眼前一亮，讓業(yè)界看...
張 妮娜業(yè)界動態(tài)