NetApp在美國閃存峰會(huì)上的演講上的表述認(rèn)為，更為廉價(jià)的TCL閃存將會(huì)拉低每GB閃存的價(jià)格，預(yù)計(jì)在2017年它的價(jià)格就會(huì)低于SAS硬盤。

TLC是三層的閃存單元，每個(gè)閃存單元可以存儲(chǔ)3位數(shù)據(jù)，比標(biāo)準(zhǔn)的存儲(chǔ)2位數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)單元和用在服務(wù)器閃存卡和固態(tài)硬盤當(dāng)中的MLC NAND高出一半。

TLC在存儲(chǔ)密集度方面要強(qiáng)于MLC，而且價(jià)格也便宜了大概25%，NetApp給出的數(shù)據(jù)指出TLC價(jià)格下降的速度回超過SAS接口的機(jī)械硬盤。

以SATA盤每GB價(jià)格作為恒定準(zhǔn)線，圖表反映了企業(yè)級SAS機(jī)械硬盤和TLC NAND每GB的價(jià)格變化。

TLC的使用壽命比MLC要低，所以他多用于讀取密集型的工作環(huán)境。NetApp認(rèn)為TLC閃存的價(jià)格將會(huì)越來越接近SATA，但是這個(gè)圖標(biāo)到2020年就結(jié)束了，按照這一趨勢推導(dǎo)下去預(yù)計(jì)到2070年SATA盤和TLC就是一個(gè)價(jià)兒了。

根據(jù)Gartner的數(shù)據(jù)顯示，2014年將會(huì)生產(chǎn)63 EB的NAND存儲(chǔ)空間，其中7.6EB將會(huì)用于企業(yè)級存戶和服務(wù)器，而截止今年六月份以前的十二個(gè)月內(nèi)，機(jī)械硬盤廠商生產(chǎn)了99.7EB的存儲(chǔ)空間，是前者的13倍。

即使閃存廠商的生產(chǎn)能力提升兩倍甚至三倍，閃存在短時(shí)間內(nèi)也很難大范圍取代機(jī)械硬盤。考慮到兩者的成本比較，這些晶圓廠商根本無法生產(chǎn)出足夠多的閃存。

當(dāng)然，如果未來真的是供給小于需求，利潤也不錯(cuò)，行業(yè)又避免了因?yàn)楫a(chǎn)能過剩造成的災(zāi)難性的利潤下降，那就會(huì)有人為晶圓廠投入大量資金，然后價(jià)格就會(huì)有明顯下降了。