增加層數(shù)和單位空間存儲的數(shù)據(jù)量是三星V-NAND的發(fā)展方向，性能明顯優(yōu)于機(jī)械硬盤的前提下，容量上升價格降低是閃存推廣的一大動力。

繼2012年韓國推出首款SAS接口企業(yè)級固態(tài)硬盤SM1625之后，三星宣布將于近期推出下一代SAS固態(tài)硬盤SM1623。

29-20nm級的SM1625最大容量是600GB，而19-10nm的SM 1623將最大容量提升至800GB。以下是SM1623與SM1625的性能參數(shù)對比：

•隨機(jī)讀取IOPS - 120000(SM1625 - 101,000)

•隨機(jī)寫入IOPS - 26000(SM1625 - 23,000)

•順序讀取帶寬 - 為950MB/秒(SM1625 - 848MB/秒)

•順序?qū)懭霂��?- 為520MB/秒(SM1625 - 740MB/秒)

性能表現(xiàn)上除了順序?qū)懼�外都有少許提升，可見新產(chǎn)品并沒有在性能上下太多功夫。另外，SM1623大概可承受一天完全寫的耐久度。

三星在閃存峰會上多次談?wù)摿?2層V-NAND固態(tài)硬盤，并保證會在三個月內(nèi)推出有更大容量的固態(tài)硬盤。三星32層的V-NAND 產(chǎn)品850Pro已經(jīng)上市了，提供十年的保修期。與2012年的SM1625相比，兩者都采用的V-NAND技術(shù)在可以允許單位空間存儲更多的數(shù)據(jù)，提升存儲密度降低價格。不過這兩者都只是在單層上存儲了2-bit數(shù)據(jù)，這32層每層存放3-bit數(shù)據(jù)就相當(dāng)于2-bit時代48層的V-NAND產(chǎn)品。

三星表示未來還會繼續(xù)增加層數(shù)，將來有可能會增加到90到100層，過幾天我們可能會看到4TB的V-NAND SAS SSD問世。

三星V-NAND追求增加的層數(shù)和單位空間存儲的數(shù)據(jù)量的增加，容量上升價格降低是閃存推廣的一大動力。