原標(biāo)題為：《三星：利用3-bit垂直NAND成功縮減編程時(shí)間》

韓國閃存代工巨頭三星已經(jīng)在本屆閃存記憶體峰會(huì)上宣布，將把3-bit（即TLC）閃存引入其V-NAND產(chǎn)品線。

該產(chǎn)品采用TLC NAND 32層設(shè)計(jì)，作為三層存儲(chǔ)單元、TLC與當(dāng)前企業(yè)級(jí)NAND產(chǎn)品中所使用的MLC或者稱為每單元2 bit的二層單元設(shè)計(jì)完全不同。

TLC NAND在數(shù)據(jù)訪問速度上無法與MLC相媲美、使用壽命也有所妥協(xié)，其全盤寫入次數(shù)只能達(dá)到幾百次。也就是說，它需要與復(fù)雜的控制器技術(shù)相匹配才能獲得理想的使用壽命。

我們并沒有參加三星的展示活動(dòng)，但根據(jù)一篇相關(guān)報(bào)道，三星宣稱與普通平面TLC芯片相比，其TLC V-NAND能夠?qū)⒕幊虝r(shí)間降低達(dá)50%、運(yùn)轉(zhuǎn)功耗也將縮減約四成。

三星方面指出，TLC 32層V-NAND SSD產(chǎn)品將很快投放市場，其技術(shù)成果將一舉突破10納米制程工藝這一制造瓶頸。我們對(duì)于新推出的V-NAND將采用10納米單元設(shè)計(jì)表示懷疑，也許30納米級(jí)別還更為可信。

據(jù)推測(cè)，新產(chǎn)品將被命名為850 EVO。結(jié)合我們掌握的情況，“很快”面世意味著其上市時(shí)間將在今年年底之前，甚至很可能搶在十一月份之前。這款設(shè)備能夠提供1TB甚至更高——也許是4TB——存儲(chǔ)容量，而且適合處理長效存儲(chǔ)內(nèi)容，除非三星公司能夠真正通過管理控制機(jī)制在每天寫滿全盤的條件下使其具備三到五年的使用壽命。

三星也在努力降低其SSD新品的寫入延遲，前提是訪問主機(jī)能夠與該SSD的控制器配合起來實(shí)現(xiàn)寫入優(yōu)化目標(biāo)。根據(jù)該公司的說法，要想讓這套方案進(jìn)入主流市場、他們還需要為其打造標(biāo)準(zhǔn)化接口。