據(jù)外國(guó)網(wǎng)站12月30日?qǐng)?bào)道，三星公司宣布將推出首款1GB低功耗DDR4內(nèi)存芯片，這表示即將推出的Galaxy S5手機(jī)將會(huì)擁有4GB RAM。

更多的RAM空間能夠幫助手機(jī)更高速的運(yùn)轉(zhuǎn)應(yīng)用程序，支持更高清的顯示器以及延長(zhǎng)手機(jī)電池的壽命。盡管新品采用的硅材料比以往的芯片節(jié)能40%到60%，但要向更高的頻寬轉(zhuǎn)變，DDR(雙倍速率SD RAM)的標(biāo)準(zhǔn)也必須在DDR3芯片的基礎(chǔ)上再提升50%。

三星表示，在2014年公司將會(huì)推出更多適用于新型RAM的產(chǎn)品；而對(duì)于產(chǎn)品的受眾群，三星方面也是目標(biāo)明確。由于內(nèi)存擁有承載高像素這一至關(guān)重要的作用，因此這項(xiàng)科技將會(huì)應(yīng)用于擁有超高清顯示器的筆記本電腦、智能手機(jī)以及平板電腦當(dāng)中。

在2014年2月的全球移動(dòng)通訊大會(huì)上，我們或許可以看到首次搭載新型芯片的Galaxy S5。