2014年1月2日存儲在線報(bào)道：早在 2005 年，物理學(xué)教授 Johan  kerman 已經(jīng)提出了磁阻內(nèi)存 （magnetoresistive random access memory，MRAM）是一個(gè)具有發(fā)展前景的“通用存儲器”。那些通常附在現(xiàn)代電子設(shè)備中的各式存儲器均可以使用通用存儲器替代。

新加坡國立大學(xué)（National University of Singapore，NUS）的一個(gè)研究團(tuán)隊(duì)和沙特阿拉伯的阿卜杜拉國王科技大學(xué)（King Abdullah University of Science and Technology，KAUST）現(xiàn)在已經(jīng)開發(fā)了一種新型的 MRAM，使  kerman 的愿望變成現(xiàn)實(shí)。

目前，很多設(shè)備使用的靜態(tài)隨機(jī)存儲器（SRAM）、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲器（DRAM）和閃存等都各有自己的優(yōu)缺點(diǎn)。比如 SRAM 存儲速度快但是不穩(wěn)定，這意味著電源被切斷時(shí)，存儲的數(shù)據(jù)會丟失。MRAM 技術(shù)則融合了這三種存儲的優(yōu)點(diǎn)，而去掉了它們的缺點(diǎn)。它提供更大的存儲密度，但是降低了能源損耗，而且即使電源被切斷，它也可以保存數(shù)據(jù)。毫無疑問，它的價(jià)格也更貴。

現(xiàn)在使用的 MRAM 技術(shù)是由兩個(gè)鐵磁板形成的磁存儲元件來存儲數(shù)據(jù)，這兩個(gè)鐵磁板被一層薄薄的絕緣層分隔開。但是這些厚度小于 1 納米的絕緣層很難制造可靠性，因此也對 MRAM 的可靠性造成了影響，因此存儲器中的數(shù)據(jù)保存時(shí)間少于一年。

該研究團(tuán)隊(duì)開發(fā)的磁阻內(nèi)存使用一種與磁的多層結(jié)構(gòu)結(jié)合的膜結(jié)構(gòu)替代了磁鐵板，這些膜結(jié)構(gòu)有 20 納米厚。研究員稱，這項(xiàng)技術(shù)使得數(shù)據(jù)可以保存至少 20 年時(shí)間，這樣為下一代 MRAM 芯片的廣泛應(yīng)用提供了可能性。

帶領(lǐng)整個(gè)團(tuán)隊(duì)的 Yang Hyunsoo 稱，從消費(fèi)者的角度看，他們的開機(jī)速度將非�？炝�。存儲空間增加，內(nèi)存將提高，用戶不必經(jīng)常使用“保存”按鈕來刷新數(shù)據(jù)了。使用較大存儲器的設(shè)備能保存數(shù)據(jù)至少 20 年或者更多的時(shí)間。現(xiàn)在人們較多依賴于移動(dòng)設(shè)備，因此幾乎每天都要給它們充電，但是如果這些設(shè)備使用這項(xiàng)技術(shù)的話，可能每周只需充電一次就可以了。

研究員相信這項(xiàng)重大突破將改變計(jì)算機(jī)架構(gòu)，使生產(chǎn)成本更低。他們計(jì)劃將這項(xiàng)新結(jié)構(gòu)應(yīng)用于存儲單元中，希望能開發(fā)出一種“軌道自旋的扭矩為基礎(chǔ)的 MRAM”。