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    （Magnetic Random Access Memory）是一種非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器，所謂“非揮發(fā)性”是指關(guān)掉電源后，仍可以保持記憶完整，功能與FLASH雷同；而 “隨機(jī)存取”是指中央處理器讀取資料時(shí)，不一定要從頭開(kāi)始，隨時(shí)可用相同的速率，從內(nèi)存的任何部位讀寫(xiě)信息。 MRAM運(yùn)作的基本原理與硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器相同。和在硬盤(pán)上存儲(chǔ)數(shù)據(jù)一樣，數(shù)據(jù)以磁性的方向?yàn)橐罁?jù)，存儲(chǔ)為 0或 1。它存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)具有永久性，直到被外界的磁場(chǎng)影響之后，才會(huì)改變這個(gè)磁性數(shù)據(jù)。它的速度與我們 PC所使用的內(nèi)存相比更接近使用 GMR技術(shù)的，一般都有 25至 100n s，它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（Static Random Access Memory， SRAM）的高速讀取寫(xiě)入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）的高集成度，而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫(xiě)入。

    MRAM是在 80年代初首次提出的。在 1994年，美國(guó) Honeywe ll公司研發(fā)了一種使用巨磁阻（Giant Magneto Resistive， GMR）薄膜技術(shù)的 MRAM，并投入了生產(chǎn)。不過(guò)，由于它的讀取寫(xiě)入時(shí)間過(guò)長(zhǎng)并且集成度低，所以應(yīng)用只局限于太空和軍事領(lǐng)域。近年來(lái)， MRAM再度發(fā)展起來(lái)，并以取代 DRAM裝置為目標(biāo)。

    與現(xiàn)有的快閃內(nèi)存（FLASH）、靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（SRAM）、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DRAM）相比， MRAM性能都是非常優(yōu)秀的。

    根據(jù)美國(guó)專業(yè)半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu) EDN分析，如將 MRAM與 DRAM、 SRAM、 FLASH等內(nèi)存做比較，在“非揮發(fā)性”特色上，目前僅有 MRAM及 FLASH具此功能；而在“隨機(jī)存取”功能上，則 FLASH欠缺此項(xiàng)功能，僅 MRAM、DRAM、SRAM具備隨機(jī)存取優(yōu)點(diǎn)。

    就“讀取速度”而言， MRAM及 SRAM的速度最快，同為 25～100n s，不過(guò)， MRAM仍比 SRAM快； DRAM則為 50～100n s，屬于中級(jí)速度；相較之下， FLASH的速度最慢。

    在寫(xiě)入次數(shù)上， MRAM、 DRAM以及 SRAM則都屬同一等級(jí)，約可寫(xiě)入無(wú)限次的記憶，而 FLASH則只約可寫(xiě)入106次。至于“芯片面積”的比較， MRAM與 FLASH同屬小規(guī)格的芯片，所占空間最小； DRAM的芯片面積則是屬于中等規(guī)格，SRAM更是屬于大面積規(guī)格的芯片，其所占的空間最大。

    在嵌入式設(shè)計(jì)規(guī)格方面，DRAM、SRAM、FLASH同屬良率低、須增加芯片面積設(shè)計(jì)規(guī)格；而 MRAM則是擁有性能高、不須增加芯片面積的特殊設(shè)計(jì)。

    最后在耗電量相比較，只有MRAM以及 SRAM擁有低耗電的優(yōu)點(diǎn)， FLASH則是屬于中級(jí)的耗電需求，至于 DRAM更是具有高耗電量的缺點(diǎn)。