東芝和Hynix未雨綢繆 研發(fā)新一代MRAM產(chǎn)品
zhuyu 發(fā)表于:11年07月13日 17:54 [編譯] DOIT.com.cn
今天,東芝和海力士(Hynix)宣布一條劃時(shí)代的信息:正式在MRAM(Spin-Transfer Torque Magnetoresistance Random Access Memory,自旋扭矩轉(zhuǎn)換磁性抵抗型隨機(jī)存儲(chǔ)器)技術(shù)領(lǐng)域進(jìn)行合作。
MRAM打破現(xiàn)在的DRAM存儲(chǔ)介質(zhì),通過磁致電阻的變化來表示0和1,這是新一代存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的不揮發(fā)性內(nèi)存介質(zhì)。在性能方面,比起DRAM,具有省電、使用壽命長、存儲(chǔ)密度大和速度快等特點(diǎn),同時(shí)在斷電后不會(huì)丟失任何數(shù)據(jù)。
IBM,TDK和東芝公司在存儲(chǔ)介質(zhì)領(lǐng)域一直扮演先行者的角色,這次的合作,東芝和海力士可謂是在半導(dǎo)體方面的未雨綢繆,及早開展了新一代存儲(chǔ)介質(zhì)的行動(dòng)。
此次合作,將兩家公司的研究人員集中在Hynix設(shè)在韓國利川的研究部門,共同開發(fā)MRAM,加速實(shí)現(xiàn)MRAM技術(shù)產(chǎn)品化的目標(biāo)。
最初的研究方向?yàn)閷AND閃存和MRAM組成混合存儲(chǔ)系統(tǒng),開發(fā)NAND相關(guān)新的應(yīng)用。逐步實(shí)現(xiàn)在硬盤和PC內(nèi)存方面應(yīng)用MRAM技術(shù),以及研發(fā)相應(yīng)的產(chǎn)品。
這兩家公司雖然沒有透露具體的產(chǎn)品路線圖,但已在產(chǎn)品制造等方面達(dá)成合作協(xié)議。
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