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閃存芯片封裝后做在形似內(nèi)存條的VIMM上，再形成vRAID組

在閃存模塊的層面上，Violin Memory全閃存陣列沒有選擇常見的SAS/SATA SSD，而是采用了專有的VIMM（Violin Intelligent Memory Module）。正如其名稱所顯示的，VIMM看起來很像內(nèi)存條，但作用與SAS/SATA SSD相當(dāng)，其組成部分包括高性能閃存控制器、管理處理器、DRAM（保存元數(shù)據(jù)）和NAND閃存芯片，完成閃存轉(zhuǎn)換層（Flash Translation Layer，F(xiàn)TL）的工作，充分利用每個閃存芯片并給予精心保護，其板載DRAM保存元數(shù)據(jù)的做法又降低了vRAID控制器模塊的負(fù)擔(dān)（源自Violin Memory的資料）。

Violin認(rèn)為其vRAID相對基于磁盤的傳統(tǒng)RAID優(yōu)勢明顯

基于硬件的閃存vRAID以4+1的方式使用VIMM，閃存的容量利用率能夠達到80%，據(jù)稱有類似RAID 6的數(shù)據(jù)丟失率（4+1像RAID 5，但RAID 6的數(shù)據(jù)保護更好）。按照Violin Memory的說法，vRAID通過兩種途徑降低4K塊讀取的延遲：

• 條帶化4KB塊跨5個VIMM分布，允許閃存設(shè)備并發(fā)讀寫以提高帶寬；
• vRAID確保長達多個ms的擦除不會阻塞讀或?qū)憽Ｒ驗樵谌我鈺r刻，5個VIMM中有4個需要讀，該架構(gòu)使混合讀/寫環(huán)境中無尖峰延遲。

拋開這些技術(shù)細(xì)節(jié)不論，最終結(jié)果如何？Violin Memory宣稱其全閃存陣列可以在3U機架的空間內(nèi)提供高達100萬的IOPS，而延遲低至100微秒。指標(biāo)不錯，但與幾乎沒特別為閃存考慮的EF540相比，并沒有拉大到數(shù)量級的差距。如果將全閃存陣列分解為陣列控制器（負(fù)責(zé)RAID）和閃存模塊（提供內(nèi)部接口、FTL和閃存存儲）兩個部分，那么所謂傳統(tǒng)的磁盤陣列硬件架構(gòu)也完全可以針對閃存而改造：RAID算法充分為閃存優(yōu)化，加寬內(nèi)部傳輸通道，SAS/SATA SSD的控制器實現(xiàn)更好的FTL……除了SAS/SATA協(xié)議層不宜過分夸大的延遲，貌似沒有什么是無法逾越的。