OceanBase入選年度“金融科技創(chuàng)新成果”，金融行業(yè)兩項(xiàng)第一 7月19日在2024中國(guó)國(guó)際金融展開(kāi)幕式上，OceanBase 4.3.2入選年度“金融科技創(chuàng)新成果”。OceanBase CEO楊冰表示，OceanBase不斷推動(dòng)分布式數(shù)...
謝 世誠(chéng)數(shù)字化轉(zhuǎn)型 
2023年，天津市河北區(qū)政府抓住國(guó)家新基建戰(zhàn)略機(jī)遇，搶占產(chǎn)業(yè)發(fā)展制高點(diǎn)，規(guī)劃建設(shè)全域智能交通云控管理平臺(tái)及相應(yīng)的智慧道路，積極探索超大城市密集城區(qū)車路云一體化發(fā)展新路徑。 作為天津市四個(gè)全域率先開(kāi)展車聯(lián)網(wǎng)和智能網(wǎng)聯(lián)汽車產(chǎn)業(yè)試點(diǎn)中唯一一個(gè)中心...
謝 世誠(chéng)AI與大模型 
鐵電存儲(chǔ)器（Ferroelectric Random Access Memory，被稱為FRAM或FeRAM）利用鐵電晶體材料的電壓-電儲(chǔ)流關(guān)系具有滯后回路的特點(diǎn)來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。并且鐵電材料的極化特性使其能夠在沒(méi)有電源的情況下保持?jǐn)?shù)據(jù)。 其技術(shù)...
崔 歡歡先進(jìn)存力 
AI發(fā)展從“模型中心化”轉(zhuǎn)向“數(shù)據(jù)中心化”，數(shù)據(jù)的重要性日益突出。此前AI發(fā)展主要靠?jī)?yōu)化模型和算法，但可能會(huì)忽視數(shù)據(jù)在實(shí)際應(yīng)用中的問(wèn)題，比如標(biāo)簽不準(zhǔn)確、數(shù)據(jù)冗余和異常值。現(xiàn)在，以數(shù)據(jù)為中心的方式則強(qiáng)調(diào)提高數(shù)據(jù)集的質(zhì)量和多樣性，認(rèn)為這些因素是...
崔 歡歡先進(jìn)存力 
我們邀請(qǐng)到大內(nèi)存軟件領(lǐng)導(dǎo)者M(jìn)emVerge，對(duì)話MemVerge中國(guó)區(qū)CTO 趙玥老師，就CXL技術(shù)架構(gòu)的特點(diǎn)以及應(yīng)用場(chǎng)景等話題展開(kāi)探討，百易存儲(chǔ)研究院負(fù)責(zé)人宋家雨老師也深入發(fā)展了觀點(diǎn)。
張 妮娜智能算力 
過(guò)去兩年來(lái)，以AI為代表的先進(jìn)數(shù)字技術(shù)正嚴(yán)重沖擊著全球工業(yè)領(lǐng)域，各行業(yè)創(chuàng)新應(yīng)用屢見(jiàn)不鮮。雖然因?yàn)楹Ａ繑?shù)據(jù)的不足，大語(yǔ)言模型結(jié)果的準(zhǔn)確度不夠高以及潛在的數(shù)據(jù)隱私和安全風(fēng)險(xiǎn)等因素，導(dǎo)致目前AI在制造業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用AI仍存在很大的困難，但PTC經(jīng)過(guò)了...
謝 世誠(chéng)數(shù)字化轉(zhuǎn)型 
2024年7月9日，2024 AMD Tech Day在美國(guó)洛杉磯The Westin Bonaventure Hotel & Suites舉行，這家酒店因后現(xiàn)代主義設(shè)計(jì)聞名。而會(huì)議之所以選址這家酒店，更大程度上與其成為多個(gè)大片的拍...
謝 世誠(chéng)AI與大模型 
外灘大會(huì)組委會(huì)7月15日宣布，備受矚目的“2024 Inclusion?外灘大會(huì)”將于2024年9月5日至7日在上海黃浦世博園區(qū)盛大開(kāi)幕。本屆大會(huì)將延續(xù) “科技?創(chuàng)造可持續(xù)未來(lái)”的主題，致力于構(gòu)建一個(gè)促進(jìn)國(guó)際交流、科技與人文融合的卓越平臺(tái)，...
謝 世誠(chéng)AI與大模型 HBM4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)將定稿：堆棧通道數(shù)較HBM3 翻倍，初步同意最高6.4Gbps速度 近日，行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制定組織JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)發(fā)布新聞稿，表示HBM4標(biāo)準(zhǔn)即將定稿，在更高的帶寬、更低的功耗、增加裸晶/堆棧性能之外，還進(jìn)一步提高數(shù)據(jù)處理速率...
崔 歡歡先進(jìn)存力 阻變存儲(chǔ)器（Resistive Random Access Memory，ReRAM或RRAM）作為新型存儲(chǔ)器之一，是基于非導(dǎo)性材料在外加電場(chǎng)作用下實(shí)現(xiàn)高阻態(tài)和低阻態(tài)之間的可逆轉(zhuǎn)換。存儲(chǔ)原理是通過(guò)改變材料的電阻狀態(tài)來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。 其發(fā)展軌跡大...
崔 歡歡先進(jìn)存力 