Pure首席技術官Alex McMullan對外展示了一張圖表，顯示Pure的DFM容量擴展到 300TB模塊的路線圖。
Pure閃存 VS 機械盤密度
Alex McMullan指出，Pure未來幾年的計劃是將固態(tài)盤和機械盤的競爭態(tài)勢帶入一個全新領域。目前即將發(fā)售24和48TB固態(tài)盤。目標是到2026年推出300TB容量的固態(tài)盤。
這個目標遠超其他廠商的硬盤容量路線圖。比如東芝預計其MAS-MAMR和HAMR技術將在2026年達到40TB：
東芝的HDD技術路線圖
希捷稱其HAMR技術應該能在2025財年實現(xiàn)50TB的HAMR硬盤，最早到2030年實現(xiàn)100TB容量。 如果Pure Storage能夠交付DFM產(chǎn)品，屆時Pure Storage的單個硬盤容量會提高5到6倍。
McMullan還展示了一張圖描述從現(xiàn)在到2026年，SSD與HDD TCO相比有更好且穩(wěn)定的下降：
一個FlashBlade機箱可以放10臺刀片服務器。每臺服務器最多可安裝四個DFM。相比目前FlashBlade//E的1.92PB容量，10臺刀片x 4 x 300TB的DFM FlashBlade//E，單個機箱將擁有12PB的原始容量。
那么Pure如何達到300TB DFM？McMullan表示，所有的芯片廠都在向Pure運送112到160層的芯片。所有晶圓廠供應商也有在未來五年內(nèi)達到400-500層的計劃，這些都對實現(xiàn)300TB目標有所助力。
評論
設想很美好，但五年后是2028年，比McMullan的2026年許諾晚兩年，這意味著到2026年，3D NAND層數(shù)無法讓Pure達到300TB DFM。
一個300層的3D NAND芯片容量，是目前150層的兩倍左右，可能實現(xiàn)100TB DFM，但還需要一些其他的容量助力，比如增加DFM的物理尺寸，讓這些模塊可以容納更多芯片。
假如移出計算和DRAM組件，能在FlashBlade 上安裝物理尺寸更大的DFM，使用現(xiàn)在的QLC 150-160層芯片，容量增加2.5倍的DFM能達到120TB。再加倍到300多層芯片，還是只有240TB DFM，差60TB。
再看介質(zhì)，PLC（5位/單元）NAND可以再增加20%——288TB，少12TB?；蛟SPure是依靠在物理空間變大的DFM中加入更多更高層數(shù)的NAND 芯片，然后使用PLC格式才能達到300TB的水平。
文章來源：https://blocksandfiles.com/2023/03/01/300tb-flash-drives-coming-from-pure-storage/
