希捷、日立、西部數(shù)據(jù)都證實(shí)了：通過(guò)使用垂直記錄技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)1Tb/sq。在這之前，希捷也曾單方面的暗示過(guò)這是切實(shí)可行的。

      目前硬盤(pán)的實(shí)密度是每平方英寸250Gb ，此密度水平推進(jìn)了2.5英寸硬盤(pán)的流行。2.5英寸硬盤(pán)比主流的3.5英寸硬盤(pán)更省電，并且能夠?yàn)榇疟P(pán)陣列提供更高的I/O水平。例如，東芝有一款硬盤(pán)密度為254.8Gb/ sq的筆記本產(chǎn)品，一個(gè)雙碟片裝2.5寸硬盤(pán)容量可達(dá)320GB，SATA接口。

      西部數(shù)據(jù)CTO Hossein Moghadam說(shuō)：“現(xiàn)在，每平方英寸存儲(chǔ)1Tb是可行的”。

      希捷CTO Martk Re,看起來(lái)更看好這項(xiàng)技術(shù)，他說(shuō)“我們已經(jīng)有了很可靠的想法通過(guò)利用垂直記錄技術(shù)實(shí)現(xiàn)至少1兆兆位每英寸的密度”。

      這三強(qiáng)表示2015年之前，1Tb/sq硬盤(pán)將會(huì)面世，熱輔助磁記錄(HAMR=Heat Assisted Magnetic Recording)或稱激光磁記錄也將會(huì)有助于提高硬盤(pán)密度。

      當(dāng)垂直記錄技術(shù)退出歷史舞臺(tái)時(shí)，存儲(chǔ)行業(yè)的廠商將會(huì)投入高額資本來(lái)研發(fā)新的技術(shù)。目前，被看好的是HAMR即熱輔助磁記錄技術(shù)。如果能夠推遲這個(gè)技術(shù)轉(zhuǎn)變的話，制造商們就可以相應(yīng)延緩在新技術(shù)開(kāi)發(fā)方面的支出。

      下面是一個(gè)建議時(shí)間表：

          2007年：254Gb/sq面世，一個(gè)雙碟片裝2.5寸硬盤(pán)容量可達(dá)320G
          2011年：500Gb/sq面世，一個(gè)2.5英寸硬盤(pán)可達(dá)640GB
          2015年：1Tb/sq-inch面世，結(jié)合HAMR技術(shù)，一個(gè)2.5英寸硬盤(pán)容量可高達(dá)1.28TB 。

      事實(shí)上，每四年我們就可以看到硬盤(pán)容量翻一番。一機(jī)架2.5英寸硬盤(pán)，比如40個(gè)，到2011年它們的總?cè)萘繉⑹?5TB，到2015年將會(huì)是50TB。

      同時(shí)，我們也不能忘記3.5英寸硬盤(pán)。到2015年，一個(gè)低端陣列的單機(jī)容量將會(huì)達(dá)到24TB。以DELL目前的PowerVault MD3000產(chǎn)品線來(lái)說(shuō)，陣列支持3.5英寸SAS硬盤(pán)。目前，內(nèi)置15塊3.5英寸硬盤(pán)，容量可達(dá)6TB。硬盤(pán)密度提高以后，到2011年單機(jī)容量為12TB；2015年，則可以升至24TB。

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