國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目芯片生產(chǎn)機(jī)臺(tái)正式進(jìn)場(chǎng)安裝啟動(dòng)儀式
紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)兼長(zhǎng)江存儲(chǔ)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)發(fā)表講話?
紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)兼長(zhǎng)江存儲(chǔ)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)在講話中強(qiáng)調(diào):國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目是中國(guó)集成電路閃存芯片產(chǎn)業(yè)規(guī)?;l(fā)展“零”的突破,相當(dāng)于中國(guó)科技領(lǐng)域的航空母艦。在生產(chǎn)廠房于去年9月提前一個(gè)月封頂、32層三維NAND閃存芯片自主研發(fā)取得重大突破的基礎(chǔ)上,今天我們又提前20天實(shí)現(xiàn)了芯片生產(chǎn)機(jī)臺(tái)搬入。這正如航母舾裝完畢,開始裝配武器彈藥,下一步就要在今年底實(shí)現(xiàn)芯片量產(chǎn),出海遠(yuǎn)航。或許不久就可以看到采用國(guó)產(chǎn)三維NAND?閃存芯片的智能手機(jī)問(wèn)世。?
長(zhǎng)江存儲(chǔ)武漢新廠房的啟動(dòng),代表國(guó)內(nèi)實(shí)現(xiàn)3D NAND量產(chǎn)的全新起點(diǎn),對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)極具里程碑意義!紫光在武漢、南京、成都三地皆具備12寸廠,率先啟動(dòng)的是武漢基地,趙偉國(guó)指出,武漢將募資800億人民幣,日前金額已經(jīng)全數(shù)到位,今年可進(jìn)入小規(guī)模量產(chǎn),明年進(jìn)入128Gb的3D NAND在64層技術(shù)的研發(fā)。
業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為,現(xiàn)在NAND Flash大廠三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、東芝(Toshiba)、SK海力士(SK Hynix)主流的3D NAND技術(shù)是64層和72層,雖然今、明兩年將跨入96層技術(shù),但這個(gè)技術(shù)門檻十分高,要進(jìn)入大量生產(chǎn)需要一些時(shí)間,如果紫光可以在64層3D NAND技術(shù)如期研發(fā)成功,那國(guó)內(nèi)自主存儲(chǔ)技術(shù)的腳步將更為堅(jiān)定。
裝機(jī)典禮現(xiàn)場(chǎng)
長(zhǎng)江存儲(chǔ)的裝機(jī)典禮后,針對(duì)全球來(lái)參加的半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商舉行了“自主創(chuàng)芯 攜手共贏”的2018供應(yīng)商大會(huì),高啟全在會(huì)中宣布,長(zhǎng)江存儲(chǔ)的32層3D NAND芯片已經(jīng)接獲首筆訂單,數(shù)量超過(guò)10,000顆,達(dá)10,776顆芯片,將應(yīng)用在8GB USD卡上,這代表國(guó)內(nèi)3D NAND芯片研發(fā)已經(jīng)跨出成功的第一步,不但研發(fā)成功,并且進(jìn)入商用化!
?國(guó)家存儲(chǔ)器基地
事實(shí)上,長(zhǎng)江存儲(chǔ)的武漢基地第一期生產(chǎn)線進(jìn)度十分快速,2017年9月已提前封頂,2017年11月長(zhǎng)江存儲(chǔ)第一顆32層3D NAND芯片宣布研發(fā)成功,而2018年2月進(jìn)行廠內(nèi)潔凈室、消防等系統(tǒng)安裝,4月11日這天正式舉行半導(dǎo)體設(shè)備裝機(jī)典禮,實(shí)現(xiàn)國(guó)內(nèi)3D NAND芯片量產(chǎn)僅一步之遙!
趙偉國(guó)再?gòu)?qiáng)調(diào),除了武漢的長(zhǎng)江存儲(chǔ)基地所需800億人民幣到位,另兩大基地成都、南京也會(huì)各自會(huì)再投入500億元,加上紫光正和重慶市政府、大基金等成立注冊(cè)資本1,000億元的新公司,五年備妥3,700億元的資金要把芯片產(chǎn)業(yè)建起來(lái),這是個(gè)大戰(zhàn)略布局。未來(lái)武漢長(zhǎng)江存儲(chǔ)的長(zhǎng)期規(guī)劃是單月高達(dá)30萬(wàn)片的12寸晶圓產(chǎn)能,加上南京、成都兩大基地,紫光集團(tuán)的“芯”布局絕對(duì)是推升全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)往前沖的一大助力,集團(tuán)內(nèi)部也期待在3D NAND技術(shù)領(lǐng)域在未來(lái)2~3年要彎道超車,積極累積手上的專利,關(guān)鍵是要在2020年上好好打上一仗!
11日的裝機(jī)典禮中,全球半導(dǎo)體設(shè)備大廠高層齊聚一堂。華芯投資管理有限責(zé)任公司總裁路軍、副總裁任凱,紫光集團(tuán)總裁張亞?wèn)|,聯(lián)席總裁齊聯(lián)、王慧軒,紫光集團(tuán)全球執(zhí)行副總裁、長(zhǎng)江存儲(chǔ)執(zhí)行董事長(zhǎng)高啟全,長(zhǎng)江存儲(chǔ)總裁楊士寧,國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金副總裁兼長(zhǎng)江存儲(chǔ)監(jiān)事會(huì)主席彭紅兵,長(zhǎng)江存儲(chǔ)副董事長(zhǎng)楊道虹,與武漢市委副書記、常務(wù)副市長(zhǎng)陳瑞峰,湖北省發(fā)改委主任、武漢市委常委、東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)黨工委書記程用文,武漢市副市長(zhǎng)徐洪蘭,東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)黨工委副書記、管委會(huì)主任劉子清,東湖高新區(qū)黨工委副書記、管委會(huì)常務(wù)副主任陳平,武漢市政府秘書長(zhǎng)劉志輝等領(lǐng)導(dǎo),武漢市發(fā)改委、經(jīng)信委、科技局等主要負(fù)責(zé)人參加調(diào)研;國(guó)際知名設(shè)備廠商TEL、LAM、AMAT,國(guó)內(nèi)知名設(shè)備廠商北方華創(chuàng)、中微半導(dǎo)體等主要負(fù)責(zé)人參加活動(dòng)。