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標(biāo)簽:長(zhǎng)江存儲(chǔ)

生成式AI不僅加速了全球算力的增長(zhǎng),也推動(dòng)了數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的全面升級(jí)。隨著越來(lái)越多數(shù)據(jù)被保留下來(lái)用于模型訓(xùn)練與推理(如RAG),數(shù)據(jù)中心中的熱數(shù)據(jù)量迅速攀升,對(duì)存儲(chǔ)的性能、功耗和成本都提出了更高要求。 SSD憑借高性能優(yōu)勢(shì),在數(shù)據(jù)存取上發(fā)揮著關(guān)鍵...

2月24日,有韓媒稱三星電子與長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)正式簽署許可協(xié)議,第10代NAND開(kāi)始采用長(zhǎng)江存儲(chǔ)的混合鍵合技術(shù)。混合鍵合技術(shù)是400層以上NAND的必備工藝,長(zhǎng)江存儲(chǔ)作為該技術(shù)專利的先行注冊(cè)者,使得三星提前布局來(lái)避免侵權(quán)風(fēng)險(xiǎn)。 目前,美...

供應(yīng)鏈有消息稱,近期存儲(chǔ)器市場(chǎng)價(jià)格觸底回升,三星電子Nand Wafer合約價(jià)已上調(diào)9%-11%,減產(chǎn)效益下,三星帶頭調(diào)漲NAND Flash價(jià)格策略奏效。 目前幾乎所有的存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商都有意跟進(jìn),海力士和長(zhǎng)江存儲(chǔ)將很快加入漲價(jià)行列,漲幅可...

閃存的發(fā)展史可以追溯到1967年,當(dāng)貝爾實(shí)驗(yàn)室的Dawon Kahng和Simon Sze共同發(fā)明了浮柵MOSFET,這是所有閃存,EEPROM和EPROM的基礎(chǔ)?。 1967年,貝爾實(shí)驗(yàn)室江大原(Dawon Kahng,韓裔)和施敏博士(...

為更好地滿足超大規(guī)模的數(shù)據(jù)應(yīng)用,憶聯(lián)發(fā)布數(shù)據(jù)中心級(jí)NVMe SSD——UH711a以及UH711a E3.S形態(tài)。該系列產(chǎn)品使用自研控制器與長(zhǎng)江存儲(chǔ)128L 3D NAND,專為數(shù)據(jù)中心級(jí)業(yè)務(wù)場(chǎng)景而設(shè)計(jì)。 UH711a單盤容量最高達(dá)7.68...

2022年7月29日,今天,北京憶恒創(chuàng)源科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“Memblaze”)正式發(fā)布了PBlaze6 6531系列PCIe 4.0企業(yè)級(jí)NVMe SSD。該系列產(chǎn)品是基于MUFP開(kāi)發(fā)的又一款作品,使用長(zhǎng)江存儲(chǔ)晶棧Xtacking...

7月16日晚間,長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布聲明回應(yīng)實(shí)體清單相關(guān)問(wèn)題,強(qiáng)調(diào)“提供的產(chǎn)品與服務(wù)均為面向商用及民用市場(chǎng)”,聲明原文如下: 2021年7月13日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司發(fā)現(xiàn)多家網(wǎng)絡(luò)媒體轉(zhuǎn)發(fā)長(zhǎng)江存儲(chǔ)和美國(guó)貿(mào)易限制清單相關(guān)的新聞和消息。 對(duì)此,長(zhǎng)江...

9月10日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出致鈦系列兩款消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤(SSD)新品,分別為PCIe接口PC005 Active和SATA接口SC001 Active,兼具強(qiáng)勁的性能和可靠的品質(zhì)。

長(zhǎng)存預(yù)計(jì)將在三季度推出自有品牌的SSD,二期廠房建設(shè)項(xiàng)目也已經(jīng)開(kāi)始動(dòng)工,規(guī)劃產(chǎn)能20萬(wàn)片/月。

今天國(guó)產(chǎn)的存儲(chǔ)芯片行業(yè)發(fā)生異動(dòng),傳聞紫光旗下的紫光存儲(chǔ)解散,相關(guān)人員要合并到長(zhǎng)江存儲(chǔ)中。隨后這兩家公司分別發(fā)表聲明,辟謠相關(guān)報(bào)道。存儲(chǔ)芯片是近年來(lái)國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體發(fā)展的重中之重,畢竟一年進(jìn)口的內(nèi)存及閃存芯片超過(guò)1000億美元,份量極大,而紫光主導(dǎo)...