我們先來看一下兩款新產(chǎn)品:
這張圖看8521的性能表現(xiàn)
iNAND 8521更強(qiáng)調(diào)性能表現(xiàn)。用的是非常領(lǐng)先的UFS 2.1控制器技術(shù),還有最新的64層3D NAND技術(shù),采用的是第五代SmartSLC技術(shù),先把數(shù)據(jù)寫入到SLC里,隨后在寫到3D NAND的TLC里面,性能和使用壽命都有很大提升。
在SmartSLC的幫助下,iNAND 8521順序?qū)懰俣饶苓_(dá)到500MB,隨機(jī)IOPS寫速度能達(dá)到45K,性能非常強(qiáng)悍,所以主要適用于旗艦手機(jī)機(jī)型,容量從32GB起,到256GB。
這張圖看7550的耐用性
iNAND 7550主打經(jīng)久耐用。采用的是相對更成熟的e.MMC技術(shù),也相對低端一些,用的也是64層3D NAND,容量為32GB-256GB之間,采用的是第四代的SmartSLC技術(shù),SmartSLC除了能優(yōu)化性能和壽命以外,還能在以外掉電的情況下保護(hù)數(shù)據(jù)完整性。
性能方面,順序?qū)懙乃俣饶苓_(dá)到260MB每秒,隨機(jī)讀和寫IOPS性能與上代產(chǎn)品相比分別提升了135%和275%,e.MMC在適用于中端和中高端手機(jī)機(jī)型。
3D NAND 64層存儲(chǔ)介質(zhì)
這次選用的仍舊是BiCS4,64層的3D NAND,關(guān)于未來BiCS5發(fā)展的時(shí)間點(diǎn)還沒確認(rèn),此前,業(yè)內(nèi)西數(shù)與東芝聯(lián)合發(fā)布過關(guān)于96層3D NAND的消息,三星也有類似的消息傳出,不過,目前64層的3D NAND仍舊是主流。
3D NAND都是TLC技術(shù),業(yè)內(nèi)目前也沒有QLC實(shí)用產(chǎn)品,QLC技術(shù)難度更高,。今年的美國的閃存峰會(huì)(FMS2017)上有存儲(chǔ)系統(tǒng)廠商談?wù)換LC的內(nèi)容,一個(gè)時(shí)強(qiáng)調(diào)ECC的重要性,一個(gè)強(qiáng)調(diào)可以用人工智能來輔助做QLC的存儲(chǔ)系統(tǒng),QLC離實(shí)際落地應(yīng)該還有很長一段路要走。
發(fā)布會(huì)現(xiàn)場西數(shù)(閃迪)EIS部門產(chǎn)品市場管理總監(jiān)包繼紅介紹了導(dǎo)致今年以來閃存缺貨漲價(jià)的四個(gè)原因:
第一、很多設(shè)備從HDD變成了SSD,造成需求量上漲;
筆者也能感受到,且不說企業(yè)級市場也在向SSD轉(zhuǎn)型,更常見的消費(fèi)機(jī)PC上,很多人都會(huì)選擇一塊SSD作為系統(tǒng)盤,新PC標(biāo)配SSD,舊的PC也在換SSD,這波換的趨勢是一個(gè)原因。
第二、另外一個(gè)因素就是從2D轉(zhuǎn)3D的技術(shù)轉(zhuǎn)移,3D NAND技術(shù)門檻很高,所以會(huì)影響產(chǎn)能;
第三、由于部分行業(yè)巨頭周期性產(chǎn)品發(fā)布會(huì)囤積一些貨品,當(dāng)這些貨品沒投向市場或者少量投向市場就會(huì)造成影響;
第四、投資的遲疑,在去年的時(shí)候,廠商對以后投資內(nèi)存、NAND還是其他產(chǎn)生了遲疑;
筆者也認(rèn)為,究竟以哪種技術(shù)生產(chǎn)多少產(chǎn)品在困擾著廠商,所以各家都采取保守的態(tài)勢。
從筆者分析來看,自從3D NAND出現(xiàn)以來,3D技術(shù)獲得了飛速發(fā)展,業(yè)內(nèi)從32層到48層,到到64層,到96層,更有甚者還提出了128層,可能各存儲(chǔ)大廠都在觀望彼此,技術(shù)成熟與否,能否商業(yè)化,到底會(huì)不會(huì)推出這樣的產(chǎn)品,生產(chǎn)這樣的產(chǎn)品該生產(chǎn)多少。
技術(shù)進(jìn)化的時(shí)間很快,除了可能導(dǎo)致產(chǎn)品線混亂,貿(mào)然大批量生產(chǎn)還可能競爭劣勢?;蛟S剛好大家更高級的產(chǎn)品技術(shù)還不成熟,都在等技術(shù)成熟后大批投入市場。
包繼紅表示,當(dāng)以上所有的事情都同時(shí)發(fā)生了,才導(dǎo)致了18個(gè)月的缺貨與漲價(jià)。
這點(diǎn)似乎也在預(yù)示著這場偶然事件過去之后就會(huì)迎來正常的市場狀態(tài)了。