可增加硬盤記錄密度的垂直磁記錄的研發(fā)工作早已進入實用化階段。業(yè)內(nèi)認(rèn)為今后為了實現(xiàn)密度更高的磁記錄，需要采用以人工方式對磁性材料進行規(guī)則排列、稱為“晶格介質(zhì)（Patterned Media）”的記錄介質(zhì)。眾所周知，由鋁經(jīng)過陽極氧化而成的氧化鋁存在大量納米級的納米孔。通過在這些納米孔中填充磁性金屬，就有望實現(xiàn)晶格介質(zhì)。 
  
    不過，氧化鋁中的納米孔有一個特點，它會以自生方式形成蜂窩狀的六方形致密結(jié)構(gòu)，因此不適合沿圓周方向進行磁記錄的硬盤。因而該研究小組于2005年6月開發(fā)了先在鋁表面以直線狀形成凹凸圖案，再對氧化鋁納米孔進行一維排列的手法（發(fā)布資料）。但當(dāng)時的一維排列間隔最小只有45nm。此次通過對陽極氧化條件進行優(yōu)化，在凹部內(nèi)形成雙列納米孔，從而縮小了間隔。即使是間隔接近電子束繪制極限的50nm間隔的凹凸線也能在寬25nm的凹部兩側(cè)形成納米孔列，從而實現(xiàn)了25nm間隔。 
  
    除此之外，還在填充了磁性體的納米孔磁性層（納米孔為隨機排列）下方，形成了用于將磁束向記錄層集中的軟磁性底膜，并成功地利用垂直磁記錄頭進行了記錄和讀取。今后準(zhǔn)備制作以25nm間隔沿圓周方向排列納米孔，并且含有軟磁性底膜的記錄介質(zhì)，力爭實現(xiàn)1Tbit/平米英寸級的記錄與讀取。

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