作為國(guó)家發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)的重大部署，該項(xiàng)目由國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司、國(guó)家發(fā)展基金有限公司、湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司、湖北省科技投資集團(tuán)有限公司共同出資籌建，以武漢新芯集成電路制造有限公司為基礎(chǔ)的高端存儲(chǔ)器研發(fā)與制造基地。

工信部部副部長(zhǎng)懷進(jìn)鵬致辭。

產(chǎn)能30萬(wàn)片每月，填補(bǔ)我國(guó)主流存儲(chǔ)器領(lǐng)域空白

存儲(chǔ)器是最大宗的集成電路產(chǎn)品，也是我國(guó)進(jìn)口金額最大的集成電路產(chǎn)品。2014年，我國(guó)集成電路進(jìn)口額2176.2億美元，其中存儲(chǔ)器占24.9%。

打造半導(dǎo)體供應(yīng)鏈，突破內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展瓶頸，不僅是社會(huì)發(fā)展的需要，更與國(guó)家安全與軍事領(lǐng)域等因素密切相關(guān)。

湖北省委常委、武漢市委書(shū)記、市人大常委會(huì)主任阮成發(fā)介紹項(xiàng)目背景。

2014年，國(guó)家頒布實(shí)施《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要（2015-2025）》,制訂了今后10年發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略，同期成立國(guó)家集成電路領(lǐng)導(dǎo)小淚和國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金。

2015年，發(fā)展存儲(chǔ)器上升為國(guó)家戰(zhàn)略。

存儲(chǔ)器基地坐落于湖北武漢東湖高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)，距高鐵武漢站24千米，占地面積2500畝（其中核心廠區(qū)面積約1400畝），共分三期建設(shè)，除了今年全面開(kāi)工的一期廠房外，二、三期廠房預(yù)計(jì)分別于2018年和2020年前建成。

據(jù)了解，該基地主要生產(chǎn)3D NANA Flash芯片和DRAM芯片；建成后產(chǎn)能預(yù)計(jì)將達(dá)到30萬(wàn)片每月，以填補(bǔ)我國(guó)主流存儲(chǔ)器領(lǐng)域的空白，滿足國(guó)內(nèi)我大數(shù)據(jù)應(yīng)用和物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)對(duì)存儲(chǔ)器產(chǎn)品的巨大需求。

新廠房建成投產(chǎn)后，還將吸納就業(yè)人口1.7萬(wàn)，配套及產(chǎn)業(yè)鏈將帶來(lái)更多的就業(yè)機(jī)會(huì)?；剡€將規(guī)劃一個(gè)總建筑面積達(dá)200萬(wàn)平方米的國(guó)際社區(qū)作為配套，滿足此項(xiàng)目人才居住的生活需求，社區(qū)總?cè)藬?shù)將超過(guò)30000人。另有1000畝地將被用于供應(yīng)商及產(chǎn)品配套用地。

以3D NAND Flash實(shí)現(xiàn)彎道超車(chē)

之所以選擇3D NAND Flash和DRAM，是因?yàn)槠淝熬皯?yīng)用十分廣泛、市場(chǎng)潛力巨大，加上我國(guó)“十三五”規(guī)劃又將半導(dǎo)體作為發(fā)展重點(diǎn)，有理由相信，3D NAND Flash將成為中國(guó)內(nèi)存芯片產(chǎn)業(yè)彎道超車(chē)的切入點(diǎn)；中國(guó)的內(nèi)存布局將可能從Flash打開(kāi)突破口。

此前日本因抓住DRAM發(fā)展機(jī)遇、韓國(guó)抓住DRAM和NAND發(fā)展機(jī)遇都成為了內(nèi)存行業(yè)的領(lǐng)頭羊。

“再也不能錯(cuò)過(guò)3D NAND技術(shù)的發(fā)展機(jī)遇了。”武漢新芯執(zhí)行副總裁、商務(wù)長(zhǎng)陳少民在接受DOIT記者采訪時(shí)說(shuō)。

武漢新芯執(zhí)行副總裁、商務(wù)長(zhǎng)陳少民接受記者采訪。

不過(guò)，國(guó)際主流內(nèi)存廠商都在加大對(duì)3D NAND Flash的投資。有報(bào)道稱，英特爾大連工廠下半年將量產(chǎn)，而SK海力士聲稱將投入15.5兆韓元擴(kuò)充N(xiāo)AND Flash產(chǎn)能，并于2019投產(chǎn)，東芝也宣布三年內(nèi)要投資3600億日元生產(chǎn)3D NAND Flash。另外，有消息稱臺(tái)積電今天在南京投資30億美元的12寸晶圓廠簽約，董事長(zhǎng)張忠謀將出席簽約儀式；而力成西安封裝廠已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，預(yù)計(jì)今年第二季度貢獻(xiàn)營(yíng)收。有人擔(dān)心，3D NAND Flash領(lǐng)域，也許會(huì)迎來(lái)類(lèi)似彩電、液晶面板那樣殘酷的淘汰大戰(zhàn)。這種擔(dān)憂是多余的。

存儲(chǔ)器基地是武漢市政府與其余富有競(jìng)爭(zhēng)力的五大地方政府角逐后勝出；由武漢新芯全面統(tǒng)籌發(fā)展規(guī)劃。這種從國(guó)家層面做出的產(chǎn)業(yè)布局，將大大增強(qiáng)新芯的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

而談到武漢和新芯勝出的原因，陳少民一再?gòu)?qiáng)調(diào)，主要是技術(shù)。新芯的技術(shù)能力與國(guó)際一流廠商僅落后一代半。而目前已經(jīng)成熟且商用的英特爾公司E7 V3處理器達(dá)到了14納米制程，基于此可以判斷出新芯的技術(shù)水平。

此次與新芯宣布開(kāi)展3D NAND技術(shù)方面的合作方是Spansion公司，但對(duì)DRAM技術(shù)的合作方，陳少民沒(méi)有回應(yīng)。

武漢新芯成立于2006年，當(dāng)時(shí)由湖北省、武漢市和東湖高新區(qū)投資100億元人民幣，建設(shè)一個(gè)12寸晶圓制造項(xiàng)目。10年來(lái)，武漢新芯已經(jīng)成為國(guó)內(nèi)唯一億存儲(chǔ)器為主的集成電路制造企業(yè)。

存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目啟動(dòng)儀式會(huì)場(chǎng)。

“存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目建成后，將帶動(dòng)設(shè)計(jì)、封裝、制造、應(yīng)用等芯片產(chǎn)業(yè)相關(guān)環(huán)節(jié)的發(fā)展，集合在光谷已形成的顯示產(chǎn)業(yè)、智能終端產(chǎn)業(yè)，打造一個(gè)萬(wàn)億級(jí)的芯片-顯示-智能終端全產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)體系，成為國(guó)內(nèi)乃至全球最密集的電子信息產(chǎn)業(yè)基地。”陳少民說(shuō)。

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