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有趣的是，早在20多年前，由于其不易揮發(fā)的特性，MRAM就被視為取代NAND閃存的潛在高性能產(chǎn)品。不過(guò)，從產(chǎn)品容量的角度來(lái)說(shuō)，該技術(shù)還遠(yuǎn)遠(yuǎn)無(wú)法參與競(jìng)爭(zhēng)。Everspin這次剛宣布的新品容量也僅有64Mb(8MB)。事實(shí)上，Everspin目前成熟的MRAM芯片只有4Mb，制造工藝也是過(guò)時(shí)的180nm制程。相比之下，Intel最新的CPU采用22nm制程。

MRAM的優(yōu)勢(shì)在于其性能以及低功耗。在未來(lái)，內(nèi)存技術(shù)有望超越閃存甚至是DRAM，達(dá)到SRAM的水平。只要獲得與閃存和DRAM相同的投資力度以及存在同樣大的市場(chǎng)需求，MRAM也有望稱(chēng)為未來(lái)主流內(nèi)存產(chǎn)品。

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