DOSTOR首爾現(xiàn)場報道：2014年7月1日三星電子在首爾舉辦“2014三星固態(tài)硬盤全球峰會”，會議現(xiàn)場展示了代表三星核心技術的系列產品，包括面向企業(yè)級的SAS接口的產品、面向數(shù)據中心的PCIe系列產品以及消費類產品。首先今天的峰會現(xiàn)場PPT上一張圖片，表明到2020年三星產品發(fā)展的方向。其中面向新型數(shù)據中心的產品將會有大幅度的增長空間。由市場份額目前的17%增長到2020年的32%。

最新應用針對數(shù)據中心的產品線，845 DC PRO以及845 DC EVO,其中PRO針對寫入為主的應用，包括需要更高速度的DB服務器以及APP服務器應用場景。 EVO針對讀為主的應用包括CDN應用以及Web服務器應用場景。

845 DC EVO具體特點

845 DC PRO具體特點

現(xiàn)場V-NAND SSD性能展示的數(shù)據給筆者留下了深刻的印象，通過對比，雙方都使用相同的內存，可以清晰的看到使用三星SV843固態(tài)硬盤的產品以及使用傳統(tǒng)的15000轉硬盤在性能上有著無比的優(yōu)勢。同時能耗上也有很大優(yōu)勢。

采用三星SV843固態(tài)硬盤的綠色數(shù)據中心解決方案

普通硬盤的測試數(shù)據

左邊是適用SV843固態(tài)硬盤的綠色數(shù)據中心解決方案，右邊是使用傳統(tǒng)硬盤的數(shù)據中心，在能耗特別是性能上的差距十分巨大

PM 853T，該硬盤采用2.5寸標準規(guī)格，SATA 6Gbps接口，240GB、480GB、960GB三種容量，從展示上看到三星重點說明PM853T是面向數(shù)據中心所設計的一款高性能SSD。其擁有在IOPS方面的優(yōu)越性能以及低的時延。采用三星最新的3-bit MLC NAND閃存技術,相對于傳統(tǒng)的錯誤檢查和糾正技術（ECC）擁有更好的糾錯率，在使用壽命上相對于同類產品來說有很大的提升。

SV 843是全世界首款量產的3D V-NAND閃存，與平面NAND閃存相比使用更持久和更多的容量以及更低的功耗，對于驅動來說擁有極低的延遲以及負荷。針對數(shù)據中心應用，該產品擁有高擦寫次數(shù)：高達3.6倍的每天全寫。

SM843T為數(shù)據中心優(yōu)化而設計，擁有極低的延遲以及負荷。以及平均每天1.8倍的全寫容量，擁有更高的高擦寫次數(shù)。

面向企業(yè)級的SM1633、SM1635以及SM1637

SAS 12GB/s接口，完全支持雙活雙端口，可混合使用SAS磁盤。其中SM1633擁有替換低價格的15000轉的硬盤。

面向數(shù)據中心的PCIe系列產品，圖片中央展示的是SM1715，當前1600GB、3200GB兩種容量，隨機讀寫分別達到750000IOPS、180000IOPS。

DOSTOR將繼續(xù)為您報道相關產品的消息。