朱朋博 發(fā)表于:14年06月11日 10:38 [翻譯] DOIT.com.cn
2014年6月11日存儲在線編譯:芯片行業(yè)分析專家Jim Handy就3D NAND芯片的許多相關(guān)問題做了個客觀公正的解讀。
記者:在3D NAND中是否有采用過硅孔技術(shù)(TSVs-一項通過堆疊芯片的垂直電連接技術(shù))?如果沒有,為什么沒有?
Jim Handy:3D NAND中沒有采用過硅孔技術(shù),因為這根本就沒必要。過硅孔技術(shù)是用來連接多個芯片的技術(shù),3D NAND只是一個單獨的芯片。
記者:3D NAND有采用平面單元堆疊技術(shù)嗎?
Jim Handy: 3D NAND使用內(nèi)置橫向單元技術(shù)。這跟平面單元技術(shù)有很大不同。如果你把它稱作“橫向”NAND而不是三維NAND會幫助你更好的理解它。
記者:平面NAND和3D NAND當(dāng)中使用的閃存單元的幾何形狀有什么明顯區(qū)別?3D NAND技術(shù)對光刻技術(shù)有什么影響?
Jim Handy: 3D NAND所采用的單元有環(huán)狀單元和又扁又方的平面單元兩種。很難在尺寸上作比較,因為這兩者完全不一樣。因為3D NAND不是采用光刻密集制程,所以廠商普遍采用相對輕松的40-50納米制程,而主要花心思在多層上下功夫。
Jim Handy:三星宣稱在技術(shù)上可以達(dá)到更高的可靠性,但是目前還沒有出臺相關(guān)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)來支持。在去年8月份有一篇文章中提到“三星正在搞3D NAND閃存芯片,你猜一下它會有怎樣的技術(shù)突破”,我之前猜測是,在一個收費噱頭之后會帶來更低的運行功耗提高耐久度,那可是會帶來兩大好處:更低的功耗和更長的壽命。不過我還是不太看好它。
我們可以看到分析師的觀點還是比較傾向于拿實際產(chǎn)品來說話。“除了三星之外我沒找到看見哪家在搞第一代3D V-NAND,更有趣的是,我發(fā)現(xiàn)三星正在搞第二代的3D V-NAND”。
非常感謝Jim接受我們的采訪。TSVs(過硅孔)技術(shù)說的是芯片間鏈接,單獨的芯片根本用不到,我們先記住這點吧。
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