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DOSTOR存儲在線 7月24日國外消息：SanDisk在3D NAND方面正在走自己的技術(shù)路線-- 在同一個區(qū)域記錄層的堆疊在一個閃存芯片放到另一個提供更多的容量之內(nèi)。

SanDisk公司目前在其新的BiCS (Bit-Cost Scalable NAND Bit-Cost可擴展NAND）產(chǎn)品，它可能是在2015年第四季度交付，或在2016年。

我們問Objective Analysis的顧問及分析師Jim Handy目前怎樣做的，他說“BiCS不是堆疊芯片,它是昂貴的。這是疊加位在同一塊芯片上。NAND被制成成垂直串位，而不是今天的水平的字符串。”

這對晶圓代工水平要求是苛刻的，因為它從根本上改變了NAND。比如縮小現(xiàn)有的流程從34納米NAND到28 nm NAND,流程中的步驟通常保持不變。BICS并非如此，“一個最值得關(guān)注的問題是，它改變了整個過程。半導(dǎo)體制造商調(diào)整他們的晶圓廠從一個過程到下一個移動通過更換工裝的10-25％，但是BICS的出現(xiàn)這將是75％的大部分進行全新更換。”

分析師說，“涉及蝕刻/沉積，而不是像[現(xiàn)有2D NAND盡可能多的光刻。”

NAND生產(chǎn)成本：

整點收縮是縮小芯片的面積來降低成本。堆疊芯片仍消耗相同的區(qū)域所以它不執(zhí)行任何操作來減少成本,但是創(chuàng)建垂直結(jié)構(gòu)(3D NAND或FinFETs)中為一個給定的區(qū)域集成更多的晶體管/位,所以芯片可以做得更小,更便宜。

如果一個NAND芯片面積減少，你可以削減更多的他們從一個標準的晶圓成本，因此，每個芯片的成本下降。

(P-BIC碼具有“U”形的NAND串在背柵極底部部分，以減少寄生電阻。并沒有在CGS之間擴散。選擇具有不對稱的源極和漏極結(jié)構(gòu)門，以減少電流關(guān)閉。)幻燈片內(nèi)容

東芝BICS技術(shù)幻燈片

SandDisk BiCS的時間表并不取決于它能成為第一個市場，分析師認為。 “SanDisk公司，在其5月投資者會議上，做了一個非常大的指向說，他們不會被推出BICS，直到它被證明相對于1Z能提供更好的投資回報率”。

“盡管如此,”分析師繼續(xù)講道,“有的內(nèi)部投資分析師質(zhì)疑為什么公司會落后于三星,有傳言說今年他會介紹它的3 d NAND今年。似乎他們不明白兩者之間的不同，是成為第一市場,還是要第一個利潤。”

SanDisk的1Z術(shù)語是指至10nm比16nm以下，這是一般所理解的1Z內(nèi)的單元格的大小。