NAND閃存是一種非易失性存儲技術，它不需要持續(xù)供電即可保持數(shù)據(jù)，小型化和低功耗特性使得它成為智能手機、平板電腦、數(shù)碼相機等便攜設備的理想存儲解決方案。伴隨不斷進步的制造技術帶來逐漸降低的數(shù)據(jù)存儲成本，以及相對傳統(tǒng)存儲更快的讀寫速度和更低的...

謝 世誠2024-05-28數(shù)據(jù)要素

本周二，在巴黎舉辦的IEEE國際內(nèi)存研討會上，IBM研究院宣布其科學家在相變內(nèi)存(PCM)技術上取得了重大突破。2011年這也是第一次，科學家能夠采用PCM在每單元真正實現(xiàn)存儲3字節(jié)。這項內(nèi)存突破可能提供快速簡單地存儲，尤其有利于移動和物聯(lián)...

崔 歡歡2016-05-19業(yè)界動態(tài)

DOSTOR存儲在線3月14日國際報道：相變存儲（Phase-change memory，PCM）的地位似乎正在發(fā)生變化，以前它是一種發(fā)展前景光明的新生技術，現(xiàn)在馬上要面臨眾多的替代技術。 相變存儲是一種涉及到內(nèi)存單元的硫族化物層的材料狀態(tài)...

liukai2011-03-14智能算力

Henry Newman是Instrumental Inc.的首席技術官，也是企業(yè)存儲論壇的常駐作者。他是一位行業(yè)咨詢師，在高性能計算和存儲領域擁有28年的工作經(jīng)驗。 數(shù)據(jù)存儲已經(jīng)成為企業(yè)應用中的薄弱環(huán)節(jié)。如果沒有存儲廠商的齊心協(xié)力，這個技...

lixuyang2010-01-04智能算力

英特爾和Numonyx發(fā)布了一個新的方式來建立垂直堆棧的相變內(nèi)存而不會失去性能。( 《英特爾宣稱PCM技術取得突破 最小5納米》 ） 相變存儲器（PCM）是一個實驗性的內(nèi)存技術，其具有非易失性，位尋址的性能，這就不同于閃存。PCM可以以更小...

lixuyang2009-11-02智能算力

三星表示，PCM（相變內(nèi)存）所具有的體積小及節(jié)電優(yōu)勢可能讓這種內(nèi)存替代現(xiàn)有的移動存儲形式。 多年來，半導體廠商一直在致力研究PCM內(nèi)存，不過，它一直處于試驗階段。PCM內(nèi)存當中包含有類似玻璃的材料，當其中的原子重新排列，它的狀態(tài)就會發(fā)生改變...

lixuyang2009-10-10智能算力

    德國芯片制造商英飛凌(Infineon)公司周一表示，它已與IBM和中國臺灣地區(qū)的宏旺電子(Macronix International)啟動了一個聯(lián)合研究計劃，探討一項被稱作PCM(相變存儲器,pha...

多易2005-05-24智能算力