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共 9 篇文章

標(biāo)簽:MRAM

2025年盤點(diǎn):AI驅(qū)動下的新一代存儲介質(zhì)們-DOIT-數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)媒體與服務(wù)平臺

2025年盤點(diǎn):AI驅(qū)動下的新一代存儲介質(zhì)們

在ChatGPT等大模型廣泛應(yīng)用的今天,企業(yè)對存儲介質(zhì)和架構(gòu)也有了新需求——要速度快、容量大、能耗低、壽命長、還能適應(yīng)多場景需求。 傳統(tǒng)的NAND Flash、DRAM已經(jīng)無法完全滿足AI、IoT、車載系統(tǒng)等對存儲的“全能”需求。加上今年新...

崔 歡歡崔 歡歡AI與大模型

了解新型存儲技術(shù)PCM與MRAM

NAND閃存是一種非易失性存儲技術(shù),它不需要持續(xù)供電即可保持?jǐn)?shù)據(jù),小型化和低功耗特性使得它成為智能手機(jī)、平板電腦、數(shù)碼相機(jī)等便攜設(shè)備的理想存儲解決方案。伴隨不斷進(jìn)步的制造技術(shù)帶來逐漸降低的數(shù)據(jù)存儲成本,以及相對傳統(tǒng)存儲更快的讀寫速度和更低的...

謝 世誠謝 世誠數(shù)據(jù)要素
三星開始大規(guī)模生產(chǎn)下一代MRAM,對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有何影響?-DOIT-數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)媒體與服務(wù)平臺

三星開始大規(guī)模生產(chǎn)下一代MRAM,對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有何影響?

據(jù)韓國媒體報道,近日,三星宣布已在一條基于28納米FD-SOI工藝的生產(chǎn)線上,開始大規(guī)模生產(chǎn)和商業(yè)運(yùn)輸嵌入式MRAM(eMRAM)解決方案。 MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲器,能夠應(yīng)用于通用微控制器(MCU)、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)、消費(fèi)類電子...

崔 歡歡崔 歡歡業(yè)界動態(tài)
Everspin提供高密度MRAM樣品,存儲級內(nèi)存至少256Mbit-DOIT-數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)媒體與服務(wù)平臺

Everspin提供高密度MRAM樣品,存儲級內(nèi)存至少256Mbit

和RAM一樣快的永久存儲被廣泛認(rèn)為會使服務(wù)器和存儲行業(yè)擺脫一年或三年的換代周期,而這個改變?nèi)缃耠S著美國公司Everspin開始提供256Mb磁阻式隨機(jī)存取存儲器(MRAM)樣品更近了一步。 Everspin 稱該產(chǎn)品為轉(zhuǎn)矩MRAM(ST-M...

崔 歡歡崔 歡歡智能算力
飛思卡爾擴(kuò)展MRAM產(chǎn)品系列 引領(lǐng)nvRAM未來-DOIT-數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)媒體與服務(wù)平臺

飛思卡爾擴(kuò)展MRAM產(chǎn)品系列 引領(lǐng)nvRAM未來

飛思卡爾將MRAM 技術(shù)商業(yè)化 MRAM利用磁性材料和傳統(tǒng)的硅電路在單個器件中提供了SRAM的高速度和閃存的非易失性,它的壽命幾乎是沒有限制的 。MRAM器件可以用于高速緩沖器、配置內(nèi)存和其他要求高速、耐用和非易失性的商業(yè)應(yīng)用。 作為首家將...

多易多易智能算力

名詞解釋:MRAM

    (Magnetic Random Access Memory)是一種非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲器,所謂“非揮發(fā)性”是指關(guān)掉電源后,仍可以保持記憶完整,功能與FLASH雷同;而 “隨機(jī)存取”是指中央處理器讀取...

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