
Rambus指控海力士美光合謀壟斷索賠129億美元
北京時間6月21日凌晨消息,美國存儲芯片廠商Rambus周一向加州一家法院提起反壟斷訴訟,指控海力士和美光存在“非法共謀”,意欲將Rambus擠出計算機存儲芯片市場。 Rambus指控海力士和美光侵犯RDRAM芯片的...
北京時間6月21日凌晨消息,美國存儲芯片廠商Rambus周一向加州一家法院提起反壟斷訴訟,指控海力士和美光存在“非法共謀”,意欲將Rambus擠出計算機存儲芯片市場。 Rambus指控海力士和美光侵犯RDRAM芯片的...
DOSTOR存儲在線3月14日國際報道:相變存儲(Phase-change memory,PCM)的地位似乎正在發(fā)生變化,以前它是一種發(fā)展前景光明的新生技術,現(xiàn)在馬上要面臨眾多的替代技術。 相變存儲是一種涉及到內(nèi)存單元的硫族化物層的材料狀態(tài)...
上周末,美光公司在一場投資者會議上宣布了自己在內(nèi)存技術領域的新突破。這項創(chuàng)新技術名為“混合存儲立方體”(Hybrid Memory Cube,HMC),號稱單顆HMC芯片的性能是DDR3內(nèi)存條的20倍。美光DRAM內(nèi)...
美光首席執(zhí)行官Steve Appleton日前表示,為了避免出現(xiàn)2010年的產(chǎn)能過剩造成的價格下跌,今年各內(nèi)存芯片廠商的資本支出將會非常保守。 Steve Appleton在參加亞利桑那州的分析師會議時表示,去年內(nèi)存業(yè)瘋狂投資的局面不會再出...
彭博社報道,美光首席執(zhí)行官Steve Appleton日前表示,為了避免出現(xiàn)2010年的產(chǎn)能過剩造成的價格下跌,今年各內(nèi)存芯片廠商的資本支出將會非常保守。 Steve Appleton在參加亞利桑那州的分析師會議時表示,去年內(nèi)存業(yè)瘋狂投資的...
12月中下旬,國際市場MLC NAND閃存合約價格始終保持平穩(wěn),主流的16Gb、32Gb顆粒價格在3 – 3.5美元以及4 – 5美元之間浮動。不過業(yè)內(nèi)人士指出,由于東芝停電事故,以及平板機市場的影響,預計明年一季度...
DOSTOR存儲在線12月14日國際報道:美光表示一些閃存控制器任務將遷移到NAND芯片上,這樣控制器制造商就不用做一些他們本不應該做的依賴于芯片的工作。 本來一些底層閃存控制器也進行錯誤管理,現(xiàn)在這項任務將從現(xiàn)有的NAND控制器中移去。 ...
美光今天宣布推出新概念的大容量閃存產(chǎn)品ClearNAND,針對企業(yè)級應用以及消費電子產(chǎn)品,直接在閃存芯片中集成了智能ECC錯誤校驗功能。 美光表示,隨著閃存工藝進入20nm級時代,讀寫閃存過程中的出錯幾率大大攀升。傳統(tǒng)方案將ECC糾錯的工作...
據(jù)國外媒體報道,甲骨文當?shù)貢r間上周五在加利福尼亞州北區(qū)聯(lián)邦地方法院起訴美光操縱計算機內(nèi)存芯片價格,并要求被告賠償損失。 起訴書顯示,甲骨文指控美光與其它計算機內(nèi)存芯片廠商聯(lián)手,人為哄抬計算機內(nèi)存芯片價格。在1998年至2002年期間,Sun...
根據(jù)國外媒體的報道,英特爾與美光科技公司將開始建設新的NAND閃存芯片制造工廠。 2011年初,東芝將在日本建成一個新的閃存工廠,這一項目將于本月啟動。三星明年也會有新的韓國工廠上線。閃存工廠會耗費很多資金成本,制造商都不愿意在這方面進行投...