6月30日，中國閃存峰會在北京舉行 。 武漢新芯執(zhí)行副總裁、商務(wù)長陳少民先生在參與“大存儲產(chǎn)業(yè)和中國力量”對話中表示，武漢新芯選擇3D NAND，是中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)彎道超車的機(jī)遇。 武漢新芯執(zhí)行副總裁、商務(wù)長陳少民先生。 陳少民先生指出，大存...

謝 世誠2016-07-01業(yè)界動態(tài)