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共 7 篇文章

標(biāo)簽:PCM

了解新型存儲(chǔ)技術(shù)PCM與MRAM

NAND閃存是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù),它不需要持續(xù)供電即可保持?jǐn)?shù)據(jù),小型化和低功耗特性使得它成為智能手機(jī)、平板電腦、數(shù)碼相機(jī)等便攜設(shè)備的理想存儲(chǔ)解決方案。伴隨不斷進(jìn)步的制造技術(shù)帶來(lái)逐漸降低的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)成本,以及相對(duì)傳統(tǒng)存儲(chǔ)更快的讀寫(xiě)速度和更低的...

謝 世誠(chéng)謝 世誠(chéng)數(shù)據(jù)要素
IBM公布PCM內(nèi)存技術(shù)方面重大突破-DOIT-數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)媒體與服務(wù)平臺(tái)

IBM公布PCM內(nèi)存技術(shù)方面重大突破

本周二,在巴黎舉辦的IEEE國(guó)際內(nèi)存研討會(huì)上,IBM研究院宣布其科學(xué)家在相變內(nèi)存(PCM)技術(shù)上取得了重大突破。2011年這也是第一次,科學(xué)家能夠采用PCM在每單元真正實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)3字節(jié)。這項(xiàng)內(nèi)存突破可能提供快速簡(jiǎn)單地存儲(chǔ),尤其有利于移動(dòng)和物聯(lián)...

PRAM技術(shù)商業(yè)化受阻 失去光環(huán)進(jìn)退維谷

DOSTOR存儲(chǔ)在線(xiàn)3月14日國(guó)際報(bào)道:相變存儲(chǔ)(Phase-change memory,PCM)的地位似乎正在發(fā)生變化,以前它是一種發(fā)展前景光明的新生技術(shù),現(xiàn)在馬上要面臨眾多的替代技術(shù)。 相變存儲(chǔ)是一種涉及到內(nèi)存單元的硫族化物層的材料狀態(tài)...

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詳解I/O瓶頸:數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的威脅與解決之道

Henry Newman是Instrumental Inc.的首席技術(shù)官,也是企業(yè)存儲(chǔ)論壇的常駐作者。他是一位行業(yè)咨詢(xún)師,在高性能計(jì)算和存儲(chǔ)領(lǐng)域擁有28年的工作經(jīng)驗(yàn)。 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)已經(jīng)成為企業(yè)應(yīng)用中的薄弱環(huán)節(jié)。如果沒(méi)有存儲(chǔ)廠(chǎng)商的齊心協(xié)力,這個(gè)技...

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PCM遭遇容量瓶頸 堆棧技術(shù)有望解決難題

英特爾和Numonyx發(fā)布了一個(gè)新的方式來(lái)建立垂直堆棧的相變內(nèi)存而不會(huì)失去性能。( 《英特爾宣稱(chēng)PCM技術(shù)取得突破 最小5納米》 ) 相變存儲(chǔ)器(PCM)是一個(gè)實(shí)驗(yàn)性的內(nèi)存技術(shù),其具有非易失性,位尋址的性能,這就不同于閃存。PCM可以以更小...

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三星看好PCM內(nèi)存潛力 有望取代現(xiàn)有閃存

三星表示,PCM(相變內(nèi)存)所具有的體積小及節(jié)電優(yōu)勢(shì)可能讓這種內(nèi)存替代現(xiàn)有的移動(dòng)存儲(chǔ)形式。 多年來(lái),半導(dǎo)體廠(chǎng)商一直在致力研究PCM內(nèi)存,不過(guò),它一直處于試驗(yàn)階段。PCM內(nèi)存當(dāng)中包含有類(lèi)似玻璃的材料,當(dāng)其中的原子重新排列,它的狀態(tài)就會(huì)發(fā)生改變...

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