三星電子本周四表示，已經(jīng)開(kāi)始使用50納米電路工藝技術(shù)開(kāi)發(fā)第一個(gè)4GB DDR3 PC內(nèi)存芯片，三星電子表示，新的技術(shù)能夠在提供了更強(qiáng)大的容量之外，同時(shí)相比現(xiàn)在的DDR3產(chǎn)品大幅減少能耗。 三星電子的目標(biāo)是制造新一代的“綠色&rd...

多易2009-02-01智能算力

IDC報(bào)告曾顯示，到2011年，下一代內(nèi)存模組的市場(chǎng)將從現(xiàn)在占據(jù)DRAM市場(chǎng)的29%增長(zhǎng)到72%。 三星電子公司本周一宣布，將推出目前體積最小的2Gb DDR3模組的測(cè)試產(chǎn)品，這種芯片將主要用于制造計(jì)算機(jī)內(nèi)存芯片。 通過(guò)50納米電路技術(shù)，三...

cuihao2008-10-03智能算力

全球領(lǐng)先的內(nèi)存供貨商奇夢(mèng)達(dá)公司(NYSE: QI)今日宣布其1GB及2GB的DDR3無(wú)緩沖雙信道內(nèi)存模塊(Unbuffered Dual In-Line Memory Modules – UDIMMs)，通過(guò)即將推出的英特爾&r...

lixuyang2008-09-28智能算力