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標(biāo)簽:2025全球閃存峰會(huì)

2025全球閃存峰會(huì):開(kāi)啟下一個(gè)機(jī)會(huì)窗口-DOIT-數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)媒體與服務(wù)平臺(tái)

2025全球閃存峰會(huì):開(kāi)啟下一個(gè)機(jī)會(huì)窗口

一直以來(lái),全球閃存峰會(huì)作為存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的重要風(fēng)向標(biāo),始終扮演著“技術(shù)引爆器”和“產(chǎn)業(yè)連接器”的雙重角色。無(wú)論是重磅新品發(fā)布、頂尖院校技術(shù)交流,還是推動(dòng)高校與產(chǎn)業(yè)深度融合的論壇設(shè)計(jì),全球閃存峰會(huì)每年都以多維形式為中國(guó)閃存產(chǎn)業(yè)注入持續(xù)活力。 亮點(diǎn)一...

崔 歡歡崔 歡歡先進(jìn)存力
閃存發(fā)展史觀察:技術(shù)革命與智能未來(lái)-DOIT-數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)媒體與服務(wù)平臺(tái)

閃存發(fā)展史觀察:技術(shù)革命與智能未來(lái)

自1967年浮柵MOSFET發(fā)明以來(lái),閃存技術(shù)就開(kāi)啟了顛覆傳統(tǒng)存儲(chǔ)介質(zhì)的征途。歷經(jīng)五十余年,從EPROM、EEPROM到2D NAND,再到現(xiàn)今主流的3D NAND、QLC、CXL、HBM等新興存儲(chǔ)技術(shù),閃存市場(chǎng)幾度更迭、企業(yè)浮沉,構(gòu)筑起龐...

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