三星電子副總裁、Memory事業(yè)部首席技術(shù)官Kevin Yoon

AI邁入智能體時(shí)代,存儲(chǔ)架構(gòu)迎來范式重構(gòu)

Kevin Yoon在演講中指出,AI技術(shù)正經(jīng)歷從生成式AI(Generative AI)到智能體AI(Agentic AI),并終將邁向物理AI(Physical AI)的演進(jìn)歷程,當(dāng)前行業(yè)已正式進(jìn)入Agentic AI階段。這種具備自主推理與決策能力的智能體技術(shù),在生成式AI基礎(chǔ)上被要求能夠維持多種狀態(tài),并在不引入明顯延遲的情況下使用工具,推動(dòng)全球數(shù)據(jù)量與計(jì)算需求呈爆發(fā)式增長。

“Agentic AI推理過程中,數(shù)據(jù)需更長時(shí)間留存以獲取最優(yōu)結(jié)果,這直接導(dǎo)致內(nèi)存容量需求激增。”Kevin Yoon強(qiáng)調(diào),數(shù)據(jù)中心正加速向數(shù)據(jù)密集型計(jì)算方式轉(zhuǎn)型,在此背景下,存儲(chǔ)技術(shù)不再是后臺(tái)支撐設(shè)施,而成為決定AI系統(tǒng)效率與可擴(kuò)展性的核心環(huán)節(jié)。傳統(tǒng)存儲(chǔ)架構(gòu)正面臨帶寬需求指數(shù)級攀升、功耗觸及物理上限、延遲控制難度加大等多重挑戰(zhàn),內(nèi)存層級結(jié)構(gòu)亟須重構(gòu)以適配新一代智能基礎(chǔ)設(shè)施需求。

內(nèi)存技術(shù)雙線突破:三星實(shí)現(xiàn)GDDR7量產(chǎn)與CXL生態(tài)引領(lǐng)

針對AI服務(wù)器的高帶寬需求,Kevin Yoon在演講中公開了三星在下一代內(nèi)存技術(shù)上的突破性進(jìn)展:行業(yè)首款24Gb容量GDDR7產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),并與領(lǐng)先GPU合作伙伴達(dá)成深度協(xié)同。該產(chǎn)品融合尖端制程工藝與優(yōu)化電路架構(gòu),傳輸速率高達(dá)42.5Gbps,相比上一代產(chǎn)品能效提升超30%,為AI訓(xùn)練與圖形渲染提供關(guān)鍵支撐。

為了解決DRAM的容量限制,計(jì)算快速鏈路(CXL)內(nèi)存擴(kuò)展器作為一種很有潛力的解決方案正在興起。作為全球首個(gè)推出CXL產(chǎn)品的企業(yè),三星自2021年起持續(xù)引領(lǐng)技術(shù)與生態(tài)發(fā)展,目前已實(shí)現(xiàn)DDR基CXL 2.0產(chǎn)品規(guī)模化量產(chǎn)。Kevin Yoon透露,隨著CXL 3.0時(shí)代到來,三星正開發(fā)支持多服務(wù)器實(shí)時(shí)內(nèi)存共享的新型設(shè)備,計(jì)劃于明年推出兼容CXL 3.1與PCIe Gen 6.0的CMM-D解決方案,未來更將實(shí)現(xiàn)近內(nèi)存處理引擎等全功能支持,進(jìn)一步提升數(shù)據(jù)中心的靈活性與擴(kuò)展性。

存儲(chǔ)三維創(chuàng)新:性能、密度與散熱的協(xié)同進(jìn)化

在存儲(chǔ)領(lǐng)域,Kevin Yoon圍繞高性能、高密度、熱控制三大核心維度,系統(tǒng)闡述了三星的技術(shù)布局與產(chǎn)品路線圖。性能方面,針對PCIe接口代際升級帶來的技術(shù)挑戰(zhàn),三星通過優(yōu)化NAND與控制器協(xié)同設(shè)計(jì),即將于2026年初推出PCIe Gen6 SSD產(chǎn)品PM1763。該產(chǎn)品在25W功耗限制下實(shí)現(xiàn)翻倍性能提升,能效比提升1.6倍,完美適配GPU密集型AI計(jì)算場景。

高密度存儲(chǔ)領(lǐng)域,三星展現(xiàn)了行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)實(shí)力:2025年已推出128TB U.2接口SSD產(chǎn)品,2026至2027年更計(jì)劃推出1T厚度的EDSFF形態(tài)產(chǎn)品,實(shí)現(xiàn)Gen5平臺(tái)256TB、Gen6平臺(tái)512TB的超高容量突破。這一系列突破得益于三星先進(jìn)的32層堆疊封裝技術(shù),結(jié)合EDSFF形態(tài)的輕薄設(shè)計(jì)優(yōu)勢,可在有限空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)密度與能效的雙重優(yōu)化。

針對高性能存儲(chǔ)帶來的散熱挑戰(zhàn),Kevin Yoon表示三星正從傳統(tǒng)風(fēng)冷向液冷等直接冷卻技術(shù)轉(zhuǎn)型。通過將E1.S 8TB SSD厚度從15T縮減至9.5T等形態(tài)優(yōu)化,結(jié)合冷板與外殼間熱阻最小化設(shè)計(jì),確保下一代存儲(chǔ)產(chǎn)品在滿負(fù)荷運(yùn)行時(shí)的系統(tǒng)穩(wěn)定性。

定義新品類:內(nèi)存級存儲(chǔ)開啟低延遲時(shí)代

面對AI推理場景中對小數(shù)據(jù)塊快速訪問的需求,三星提出“內(nèi)存級存儲(chǔ)(Memory Class Storage)”這一全新技術(shù)品類,旨在突破傳統(tǒng)存儲(chǔ)與計(jì)算間的性能鴻溝。該技術(shù)以GPU主動(dòng)直接存儲(chǔ)(GIDS)為典型應(yīng)用,通過GPU與存儲(chǔ)的直接數(shù)據(jù)交互,大幅降低系統(tǒng)延遲。三星正在研發(fā)第七代Z-NAND技術(shù),該技術(shù)是內(nèi)存級存儲(chǔ)概念的核心載體。這款面向GIDS場景優(yōu)化的存儲(chǔ)介質(zhì),其第三代產(chǎn)品將實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)超行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的吞吐量表現(xiàn),在保持超高性能的同時(shí)最大化能效?!皟?nèi)存級存儲(chǔ)將重新定義AI推理的響應(yīng)速度標(biāo)準(zhǔn),為實(shí)時(shí)智能應(yīng)用提供關(guān)鍵支撐?!盞evin Yoon強(qiáng)調(diào)。

在演講結(jié)尾,Kevin Yoon表示,三星通過內(nèi)存與存儲(chǔ)領(lǐng)域的全棧創(chuàng)新,不僅致力于解決AI時(shí)代的數(shù)據(jù)管理難題,更旨在解鎖AI技術(shù)的全部潛能。未來,三星將持續(xù)突破技術(shù)極限,與全球合作伙伴共建存儲(chǔ)生態(tài),共同開啟AI賦能的智能未來。

殊榮加身:獲頒杰出存儲(chǔ)技術(shù)引領(lǐng)獎(jiǎng)”

第四屆GMIF2025創(chuàng)新峰會(huì)除了探討AI時(shí)代下存儲(chǔ)技術(shù)的演進(jìn)與生態(tài)共建,同時(shí)對存儲(chǔ)領(lǐng)域過去一年涌現(xiàn)的杰出企業(yè)、創(chuàng)新技術(shù)、優(yōu)秀方案等進(jìn)行評優(yōu)并于會(huì)上重磅發(fā)布評選結(jié)果。作為行業(yè)領(lǐng)軍者,三星半導(dǎo)體在DRAM與NAND領(lǐng)域持續(xù)實(shí)現(xiàn)重大技術(shù)迭代,于會(huì)上榮獲“杰出存儲(chǔ)技術(shù)引領(lǐng)獎(jiǎng)”。

三星半導(dǎo)體榮獲“杰出存儲(chǔ)技術(shù)引領(lǐng)獎(jiǎng)”

評委會(huì)特別指出,面對AI爆發(fā)對高帶寬、高能效存儲(chǔ)的迫切需求,三星率先實(shí)現(xiàn)HBM、DDR5、LPDDR5X及高層堆疊3D NAND等前沿技術(shù)的規(guī)?;慨a(chǎn)與應(yīng)用,極大地加速了大模型訓(xùn)練、數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施升級及高端智能終端創(chuàng)新,為全球客戶提供了堅(jiān)實(shí)的技術(shù)底座。

此次獲獎(jiǎng),是對三星半導(dǎo)體通過持續(xù)研發(fā)投入重塑存儲(chǔ)性能邊界、賦能全球數(shù)字化進(jìn)程的充分肯定。三星半導(dǎo)體表示,將繼續(xù)引領(lǐng)存儲(chǔ)技術(shù)創(chuàng)新,為產(chǎn)業(yè)鏈上下游提供尖端解決方案,推動(dòng)AI應(yīng)用廣泛落地。

結(jié)語

本次峰會(huì)不僅匯聚了全球存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈的精英,更通過三星電子副總裁Kevin Yoon的精彩演講,為行業(yè)揭示了AI驅(qū)動(dòng)下存儲(chǔ)技術(shù)的未來發(fā)展方向。從Agentic AI的崛起,到GDDR7和CXL技術(shù)的突破,再到高性能、高密度存儲(chǔ)與散熱技術(shù)的協(xié)同進(jìn)化,三星在存儲(chǔ)領(lǐng)域的創(chuàng)新成果令人矚目。而“內(nèi)存級存儲(chǔ)”的提出,更是為AI推理場景帶來了全新的解決方案。

榮獲“杰出存儲(chǔ)技術(shù)引領(lǐng)獎(jiǎng)”的三星半導(dǎo)體,不僅在技術(shù)上取得了顯著成就,更通過持續(xù)的研發(fā)投入,為全球數(shù)字化進(jìn)程提供了堅(jiān)實(shí)的技術(shù)支持。未來,三星將繼續(xù)攜手全球合作伙伴,共同探索存儲(chǔ)技術(shù)的無限可能,開啟AI賦能的智能未來。

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