文字編輯｜李祥敬

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英特爾代工大會(huì)：開啟技術(shù)與合作新篇

2025年，英特爾代工大會(huì)盛大開幕，這場盛會(huì)聚焦多代核心制程和先進(jìn)封裝技術(shù)的最新進(jìn)展，同時(shí)公布全新生態(tài)系統(tǒng)項(xiàng)目與合作關(guān)系，吸引了行業(yè)眾多目光。英特爾公司首席執(zhí)行官陳立武在開幕演講中著重強(qiáng)調(diào)，英特爾正全力推動(dòng)代工戰(zhàn)略邁向新階段，核心在于傾聽客戶需求，憑借優(yōu)質(zhì)解決方案贏得客戶信任。陳立武指出：“英特爾致力于打造世界一流的代工廠，以滿足日益增長的對(duì)前沿制程技術(shù)、先進(jìn)封裝和制造的需求。我們的首要任務(wù)是傾聽客戶的聲音，提供有助于其成功的解決方案，以贏得客戶的信任?！?從這番話中，能深刻感受到英特爾代工以客戶為中心的發(fā)展理念。英特爾代工首席技術(shù)與運(yùn)營官、代工服務(wù)總經(jīng)理也分別發(fā)表主題演講，全方位展示了制程和先進(jìn)封裝的成果，以及全球多元化制造和供應(yīng)鏈布局，凸顯出英特爾代工強(qiáng)大的實(shí)力與完備的體系。眾多生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴，如Synopsys、Cadence等，以及聯(lián)發(fā)科、微軟、高通等企業(yè)高管的參與，更是彰顯出英特爾代工生態(tài)系統(tǒng)的強(qiáng)大吸引力與影響力 。

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制程技術(shù)：多節(jié)點(diǎn)并進(jìn)，創(chuàng)新引領(lǐng)發(fā)展

英特爾代工在制程技術(shù)方面成果顯著，多個(gè)制程節(jié)點(diǎn)齊頭并進(jìn)。Intel 18A制程節(jié)點(diǎn)已進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)階段，并將于今年內(nèi)實(shí)現(xiàn)正式量產(chǎn)。該節(jié)點(diǎn)應(yīng)用了兩項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)突破：RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)與PowerVia背面供電技術(shù)。在芯片制程工藝不斷進(jìn)化的過程中，漏電導(dǎo)致的發(fā)熱問題成為一大難題，而RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)則有效應(yīng)對(duì)了這一挑戰(zhàn)。它通過實(shí)現(xiàn)全環(huán)繞柵極架構(gòu)，以垂直堆疊的帶狀溝道，提升晶體管密度和能效，精準(zhǔn)控制電流，在縮小晶體管尺寸的同時(shí)減少漏電現(xiàn)象。此外，該技術(shù)還提高了每瓦性能、優(yōu)化了最小電壓操作和靜電性能，讓晶體管開關(guān)速度更快，為芯片設(shè)計(jì)帶來更高靈活性。隨著對(duì)高性能晶體管需求的增加，芯片內(nèi)部空間擁堵問題凸顯，PowerVia背面供電技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。它將粗間距金屬層和凸塊移至芯片背面，并嵌入納米級(jí)硅通孔，提高供電效率，實(shí)現(xiàn)ISO功耗效能最高提高4%，減少固有電阻下降，提升標(biāo)準(zhǔn)單元利用率5%-10%。同時(shí)，Intel 18A的演進(jìn)版本也在有序推進(jìn)。Intel 18A-P的早期試驗(yàn)晶圓已開始生產(chǎn)，由于其與Intel 18A設(shè)計(jì)規(guī)則兼容，IP和EDA合作伙伴已提供支持，將為更多客戶帶來更卓越的性能。Intel 18A-PT則借助Foveros Direct 3D先進(jìn)封裝技術(shù)與頂層芯片連接，混合鍵合互連間距小于5微米。Intel 14A制程工藝也有新進(jìn)展，已與主要客戶展開合作并發(fā)送早期版本的PDK，客戶有意基于該節(jié)點(diǎn)制造測試芯片。Intel 14A將采用PowerDirect直接觸點(diǎn)供電技術(shù)，預(yù)計(jì)將于2027年前實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。此外，英特爾代工還在積極推進(jìn)16納米制程產(chǎn)品的生產(chǎn)，并與主要客戶洽談與UMC合作開發(fā)的12納米節(jié)點(diǎn)及其演進(jìn)版本 。

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先進(jìn)封裝：多元技術(shù)賦能，拓展應(yīng)用邊界

面對(duì)先進(jìn)封裝的需求，英特爾代工提供系統(tǒng)級(jí)集成服務(wù)，運(yùn)用Intel 14A和Intel 18A-P制程節(jié)點(diǎn)，通過Foveros Direct（3D堆疊）和EMIB（2.5D橋接）技術(shù)實(shí)現(xiàn)連接。其中，EMIB 2.5D技術(shù)優(yōu)勢明顯。與業(yè)界其它晶圓級(jí)2.5D技術(shù)相比，在成本效益方面，其采用的硅橋尺寸小，能更高效利用晶圓面積，降低成本；良率提升方面，省略晶圓級(jí)封裝步驟，減少良率損失風(fēng)險(xiǎn)；生產(chǎn)效率上，制造步驟少、復(fù)雜度低，生產(chǎn)周期短；尺寸優(yōu)化上，將硅橋嵌入基板，提高基板面積利用率，可在單個(gè)封裝中集成更多芯片。英特爾還將推出新的先進(jìn)封裝技術(shù)，如面向未來高帶寬內(nèi)存需求的EMIB-T，以及Foveros 3D先進(jìn)封裝技術(shù)的Foveros-R和Foveros-B，為客戶提供更多選擇。與Amkor Technology的全新合作，進(jìn)一步豐富了客戶在先進(jìn)封裝技術(shù)選擇上的靈活性。此外，英特爾正在研發(fā)120×120毫米的超大封裝，并計(jì)劃推出玻璃基板。玻璃基板具有耐高溫、變形小、平面度低等優(yōu)勢，可提升互連密度，改善光刻聚焦深度，有助于實(shí)現(xiàn)更高算力需求 。

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制造與生態(tài)：堅(jiān)實(shí)后盾，協(xié)同發(fā)展

在制造領(lǐng)域，英特爾亞利桑那州的Fab 52工廠成功完成Intel 18A的流片，標(biāo)志著該廠首批晶圓試產(chǎn)成功。Intel 18A節(jié)點(diǎn)的大規(guī)模量產(chǎn)將率先在俄勒岡州的晶圓廠實(shí)現(xiàn)，亞利桑那州的制造預(yù)計(jì)今年晚些時(shí)候進(jìn)入量產(chǎn)爬坡階段。英特爾代工的生態(tài)系統(tǒng)也在不斷完善。眾多值得信賴的生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴，為其提供全面的IP、EDA和設(shè)計(jì)服務(wù)解決方案組合，有力支持了英特爾代工的發(fā)展。英特爾代工加速聯(lián)盟新增多個(gè)項(xiàng)目，如英特爾代工芯粒聯(lián)盟和價(jià)值鏈聯(lián)盟。英特爾代工芯粒聯(lián)盟初期重點(diǎn)是定義并推動(dòng)先進(jìn)技術(shù)在基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)方面的應(yīng)用，為客戶提供可靠且可擴(kuò)展的產(chǎn)品設(shè)計(jì)方式，滿足特定應(yīng)用和市場需求 。

結(jié)語

英特爾代工正憑借先進(jìn)的制程和封裝技術(shù)、強(qiáng)大的制造能力以及完善的生態(tài)系統(tǒng)，在代工領(lǐng)域穩(wěn)步前行。未來，英特爾代工有望繼續(xù)引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展，為客戶帶來更多創(chuàng)新解決方案，推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁向新高度。

lixiangjing

算力豹主編