此前發(fā)布的計(jì)劃正在推進(jìn)，Intel?7?和?Intel?4?工藝節(jié)點(diǎn)已投放市場(chǎng)，Intel?3?工藝節(jié)點(diǎn)已準(zhǔn)備就緒，可以批量生產(chǎn)。此外Intel?20A（2?納米）和?18A（1.8nm）也將如期上市，成為業(yè)內(nèi)首批采用PowerVia?背面供電技術(shù)的芯片，通過優(yōu)化供電提高性能和晶體管密度。

同時(shí)18A還是英特爾首個(gè)采用?RibbonFET?全周柵極（GAA）晶體管的節(jié)點(diǎn)，在縮小面積的情況下，提供更高的晶體管密度和更快的晶體管開關(guān)速度。目前英特爾?的18A?已準(zhǔn)備就緒，客戶現(xiàn)在就可以使用英特爾?EDA（設(shè)計(jì)軟件）和?IP?合作伙伴提供的?0.9?PDK?進(jìn)行設(shè)計(jì)，完整的?1.0?PDK?將于今年四五月份面世。

英特爾還展示了?Intel?14A（1.4nm）工藝，是業(yè)界首個(gè)使用?ASML?High-NA?EUV?光刻工具的工藝節(jié)點(diǎn)，但未透露?14A?的性能或密度目標(biāo)，從18A?和?20A來看，應(yīng)該采用了下一代?PowerVia?背面供電技術(shù)和?RibbonFET?GAA?晶體管。

Intel?14A?共有兩個(gè)類型，標(biāo)準(zhǔn)的?14A?以及后續(xù)擴(kuò)展的?14A-E。E代表功能擴(kuò)展，即對(duì)現(xiàn)有工藝節(jié)點(diǎn)進(jìn)行不同的定制，以延長(zhǎng)其生命周期，類似臺(tái)積電和三星。P?后綴代表性能改進(jìn)，T則是TSV?，也就是3D?堆疊成為可能。英特爾并未公布?Intel?14A?的交付日期，至少也要等到?2025?年。

此外，還有英特爾還表示Clear?Water?Forest?新一代處理器已經(jīng)流片，即將投入生產(chǎn)。Clear?Water Forest?采用了英特爾18A?工藝制程，通過?3D Foveros?Direct封裝技術(shù)和?Intel?3基礎(chǔ)芯片一起封裝。

崔歡歡