江波龍近年來在存儲芯片的自主研發(fā)投入了大量的精力和資源，引進(jìn)了一批具備超過20年存儲芯片設(shè)計經(jīng)驗的高端人才。其團(tuán)隊不僅精通閃存芯片的設(shè)計技術(shù)，并且對于流片工藝制程、產(chǎn)品生產(chǎn)過程有著深入了解，對于4xnm、2xnm、1xnm等Flash工藝節(jié)點的產(chǎn)品實現(xiàn)擁有豐富的經(jīng)驗。在此基礎(chǔ)上，公司能夠根據(jù)特定需求設(shè)計出不同容量和接口的閃存芯片，為客戶提供定制化服務(wù)。

在產(chǎn)品測試方面，江波龍自研NAND Flash產(chǎn)品通過內(nèi)嵌片上DFT電路，配合公司自主開發(fā)的測試平臺，實現(xiàn)了高效的生產(chǎn)測試，以確保交付客戶的閃存芯片具有高度的一致性和可靠性。

MLC NAND Flash芯片為了確保數(shù)據(jù)讀取和寫入的穩(wěn)定性，需要精確控制保存在存儲單元內(nèi)的電荷數(shù)量。為達(dá)到該要求，一方面需要設(shè)計高精度的模擬電路，以精確產(chǎn)生讀寫存儲單元時所需的操作電壓；另一方面，需要精心設(shè)計算法來控制操作的時序和電壓，讓算法能夠適應(yīng)工藝特性（尤其是新工藝），且實現(xiàn)盡可能低的能耗。通過在芯片內(nèi)嵌入微控制器，能夠修改固件，從而實現(xiàn)更為靈活的算法控制。為了使得數(shù)據(jù)存儲更加可靠，芯片還內(nèi)嵌了溫度傳感器，能夠搭配算法實現(xiàn)更加精準(zhǔn)的控制。

此外，為了實現(xiàn)接口訪問的高帶寬，還要設(shè)計高速數(shù)據(jù)讀寫通路。這一通路包括了高速讀出放大器、高速并-串/串-并轉(zhuǎn)換邏輯、冗余替換電路，并且需要在電路設(shè)計和物理版圖上精確匹配各個關(guān)鍵信號的延遲。

目前，江波龍已具備SLC NAND Flash、MLC NAND Flash、NOR Flash產(chǎn)品的設(shè)計能力，并將通過完善的工程及品控能力逐步拓展更豐富的Flash產(chǎn)品系列。

崔歡歡

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