Westmere-EP芯片結(jié)構(gòu)

具體而言,45納米向32納米的進(jìn)步,使得Westmere-EP能增加兩個(gè)處理核心并且每個(gè)核心的三級(jí)緩存也增長(zhǎng)了50%達(dá)到12MB之多。英特爾架構(gòu)事業(yè)部資深高級(jí)工程師Nasser Kurd確認(rèn)Westmere-EP將支持Turbo Boost特性(智能加速技術(shù)),即在芯片其他芯片元素靜默狀態(tài)下小幅提高處理器核心的主頻。

總體而言,Westmere-EP的主頻和熱封裝范圍同現(xiàn)有的至強(qiáng)5500一樣,此外在處理器插槽、主板芯片組和DDR3內(nèi)存的支持方面也同至強(qiáng)5500一樣,每個(gè)插槽都有著三個(gè)內(nèi)存通道。

六核Westmere-EP處理器有著11.7億個(gè)晶體管,芯片面積為為240平方毫米。正如上圖所示,六個(gè)處理核心被一分為二,每組三個(gè)核心。處理核心區(qū)域有著專(zhuān)門(mén)的時(shí)鐘頻率和電源供給,三級(jí)緩存和內(nèi)存控制器在優(yōu)化設(shè)計(jì)之后歸為"uncore"(非核心)區(qū)域,有著獨(dú)立的功率門(mén)限(power gating)。在Nehalem家族芯片中,英特爾為每個(gè)核心的晶體管引入了功率門(mén)限,當(dāng)核心處于閑置狀態(tài)時(shí)就會(huì)被自動(dòng)關(guān)閉。核心狀態(tài)存儲(chǔ)于芯片緩存中,但是非核心區(qū)域依舊保持全功率運(yùn)行。但是在Westmere家族中,非核心區(qū)域也引入了功率門(mén)限,由此可以看出Westmere更加綠色節(jié)能。

Westmere-EP芯片保持了英特爾HyperThreading同步多線程特性,每一個(gè)核心都有著兩個(gè)虛擬線程,此外Westmere還具備新的加密指令集在加密解密數(shù)據(jù)之時(shí)實(shí)現(xiàn)AES算法。另外一個(gè)新特性在于其嵌入式的內(nèi)存控制器能夠支持低壓的DDR3內(nèi)存,這樣在無(wú)需損失性能的前提下能夠減少20%的熱量。

在英特爾發(fā)布的另一份有關(guān)系統(tǒng)的文檔中還揭示了在下周舉行的國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議上展示類(lèi)似于QuickPath的高速互聯(lián)技術(shù),據(jù)了解這種高速互聯(lián)技術(shù)還未命名,芯片間數(shù)據(jù)傳輸效能會(huì)是目前產(chǎn)品的10倍。在QPI架構(gòu)中芯片間傳輸1TB數(shù)據(jù)需要150瓦特能耗,而這種新高速互聯(lián)架構(gòu)只需要11瓦特。在靜默狀態(tài)下,新高速互聯(lián)架構(gòu)的能耗只有滿(mǎn)載的7%,此外恢復(fù)工作狀態(tài)的時(shí)間要比QPI快1000倍。

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