要知道界第一款閃存盤(pán)發(fā)明者便是朗科，同時(shí)朗科也是政府機(jī)構(gòu)指定的移動(dòng)存儲(chǔ)品牌供應(yīng)商，所以朗科的實(shí)力毋庸置疑。而我個(gè)人早期也買過(guò)不少朗科的U盤(pán)產(chǎn)品，可以說(shuō)算是老相識(shí)。聽(tīng)說(shuō)最近朗科開(kāi)始進(jìn)軍內(nèi)存條領(lǐng)域，所以迫不及待的入了一條來(lái)和大家一起體驗(yàn)下，看看具體表現(xiàn)。

開(kāi)箱曬物：經(jīng)典無(wú)馬甲設(shè)計(jì)

朗科此次一共推出了兩個(gè)版本內(nèi)存條，分別是臺(tái)式機(jī)版本與筆記本版本，考慮到我個(gè)人使用臺(tái)式機(jī)較多，所以選用的依舊是臺(tái)式機(jī)版本。

朗科DDR4內(nèi)存條整體包裝具有濃濃的科技感，正面除了印刷有對(duì)應(yīng)的品牌Logo和產(chǎn)品名外，在左側(cè)還有一個(gè)可視窗，可以直觀的看到朗科內(nèi)存上粘貼的產(chǎn)品標(biāo)簽。

包裝背面是產(chǎn)品的一些基礎(chǔ)參數(shù)，這里有兩點(diǎn)信息值得一說(shuō)。首先是朗科為該款內(nèi)存提供了終身質(zhì)保，解決了用戶的售后擔(dān)憂；其次這款內(nèi)存條同樣屬于朗科的超光系列，而我手上的這條只是單DDR4-2666MHz 8GB內(nèi)存，其實(shí)朗科還提供了3000MHz和3200MHz兩種頻率版本供大家選擇。

朗科DDR4 2666內(nèi)存并沒(méi)有采用馬甲包裹，可以說(shuō)是典型的無(wú)馬甲內(nèi)存外觀，采用的是8層黑色PCB板。

臺(tái)式機(jī)版本的朗科DDR4 2666內(nèi)存規(guī)格為1R*8，單面8顆粒設(shè)計(jì)，單顆顆粒為1G容量，工作電壓為1.2V，頻率為2666MHz，時(shí)序?yàn)镃19-19-19-43。

細(xì)看內(nèi)存條上的顆粒，可以看到是由朗科自身封裝的顆粒，型號(hào)是NKD4CB61GB-2103。

整個(gè)背面比較干凈，板材下的線路清晰可見(jiàn)，整體美觀度較好，同時(shí)黑色的PCB板也能更好的融入主板環(huán)境。

軟件信息識(shí)別：時(shí)序C19-19-19-43

通過(guò)軟件Thaiphoon Burner查看朗科DDR4 2666內(nèi)存的SPD信息，可以看到Thaiphoon Burner識(shí)別出朗科DDR4 2666內(nèi)存顆粒為長(zhǎng)鑫顆粒，型號(hào)為CXDQ3A8AM，作為一顆完全國(guó)產(chǎn)顆粒，這點(diǎn)首先是值得肯定和高興的，同時(shí)長(zhǎng)鑫顆粒具有較高的超頻潛力，這就為喜歡通過(guò)超頻壓榨內(nèi)存性能的小伙伴提供了更多的可玩空間。不過(guò)稍顯遺憾的是朗科并沒(méi)有為這條內(nèi)存提供XMP，默認(rèn)為2666MHz，時(shí)序?yàn)镃19-19-19-43。

CPU-Z的SPD選項(xiàng)頁(yè)，同樣識(shí)別出為長(zhǎng)鑫顆粒，頻率2666MHz，電壓是1.2V。

雙通道兼容性測(cè)試

考慮到部分小伙伴購(gòu)買內(nèi)存是用來(lái)升級(jí)擴(kuò)容，所以雙通道的兼容性成為了一個(gè)不可忽略的屬性，我這里找了一根芝奇的8G內(nèi)存來(lái)做雙通道兼容性測(cè)試，因?yàn)檫@兩根來(lái)自于不同的品牌，不同的顆粒，不同的時(shí)序，如果能成功組成雙通道，那么可見(jiàn)朗科這根內(nèi)存的雙通道兼容性良好。

從上圖的測(cè)試來(lái)看，顯然雙通道已經(jīng)組建成功，而雙通道帶來(lái)的直接好處便是性能成倍提升，但是這里還是建議有條件的小伙伴使用兩根同樣型號(hào)的朗科內(nèi)存條，這樣整體性能和穩(wěn)定性都會(huì)更加出色一些。

基礎(chǔ)性能測(cè)試：

測(cè)試平臺(tái)為平臺(tái)用的是i7-8700K+華碩ROG STRIX Z370-E GAMING，通過(guò)AIDA 64的內(nèi)存測(cè)試看看朗科DDR4 2666內(nèi)存的理論數(shù)據(jù)。

在默認(rèn)2666MHz頻率下，朗科DDR4 2666內(nèi)存的讀取、寫(xiě)入和復(fù)制成績(jī)分別是19299MB/s、18441MB/s和18509MB/s，內(nèi)存延遲63.3ns，整體表現(xiàn)中規(guī)中矩。

同樣在2666MHz頻率下，通過(guò)Sisoftware測(cè)出內(nèi)存帶寬為13GB/s。

超頻測(cè)試：

正如上文提及，長(zhǎng)鑫顆粒的潛能還是非常大的，我自然也不會(huì)這么輕松的放過(guò)這根朗科內(nèi)存?？紤]到這根內(nèi)存并不支持XMP，所以直接在BIOS里將內(nèi)存頻率調(diào)整到2800MHz（第一次超，保險(xiǎn)一點(diǎn)），測(cè)試電壓依舊保持1.2V不變。

此時(shí)AIDA 64下內(nèi)存的讀取速度為21170MB/s，寫(xiě)入速度19838MB/s，復(fù)制內(nèi)存20425MB/S, 分別提升至9.7%、7.5%、10.4%，內(nèi)存延遲60.1ns，而時(shí)序依舊保持C19-19-19-43不變。

內(nèi)存帶寬從13GB/s提升到了13.58GB/s，提升空間并不明顯，但這也是第一次保守嘗試。

接下來(lái)我準(zhǔn)備來(lái)個(gè)極限測(cè)試，但前提依舊是不調(diào)整時(shí)序和電壓，畢竟調(diào)整時(shí)序這些對(duì)于普通用戶還是有一定門(mén)檻，只在BIOS里提升內(nèi)存頻率，來(lái)看看朗科內(nèi)存日常穩(wěn)定運(yùn)行的極限成績(jī)?cè)谀睦铩?/p>

在BIOS中直接將內(nèi)存頻率提升至3200MHz，此時(shí)內(nèi)存的讀取速度為22622MB/s，寫(xiě)入速度22114MB/s，復(fù)制內(nèi)存21383MB/S, 分別提升至17.2%、20%、15.5%，內(nèi)存延遲54.5ns。要知道這么高的性能就等于白撿，何樂(lè)而不為。

內(nèi)存帶寬從13GB/s提升到了15.76GB/s。

回到實(shí)際的應(yīng)用軟件中，在3200MHz頻率下WINRAR基準(zhǔn)測(cè)試為9141KB/s。

總結(jié)：國(guó)產(chǎn)內(nèi)存開(kāi)始雄起

作為一款國(guó)產(chǎn)內(nèi)存，朗科超光DDR4 2666 8G臺(tái)式內(nèi)存的表現(xiàn)令人滿意，在做工和顆粒上可圈可點(diǎn)；盡管是國(guó)產(chǎn)長(zhǎng)鑫內(nèi)存顆粒，但是性能上可以說(shuō)一點(diǎn)也不含糊，雖說(shuō)初始頻率并不高，但是卻留給用戶極大的超頻空間，在不改變電壓和時(shí)序的前提下，分分鐘上到3200MHz，用2666MHz的錢(qián)白撿3200MHz的性能；兼容性上也能很好的和不同品牌內(nèi)存組成雙通道，實(shí)現(xiàn)性能翻翻。

最后配合不足300元的售價(jià)，可以說(shuō)性價(jià)比超群。如果不是特意追求炫酷燈光和馬甲，朗科超光DDR4 2666 8G臺(tái)式內(nèi)存顯然是非常值得考慮的選擇之一，同時(shí)終身質(zhì)保也免去了消費(fèi)者的后顧之憂。而新品上市，朗科也為大家?guī)?lái)了不小的福利，3月26日新品首發(fā)價(jià)格259， 3月26日-4月30日可以享受10元疊加優(yōu)惠券和返5元E卡。（作者：十八線老編）

轉(zhuǎn)載自中國(guó)科技網(wǎng)

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