與660p相比,670p在性能,耐久性,容量和功耗方面都有提升,部分表現(xiàn)相比TLC差距縮小,少部分場(chǎng)景甚至比還要好,英特爾的一頓操作讓人不得不對(duì)QLC刮目相看。
英特爾于2016年開(kāi)始研究第一代QLC NAND,當(dāng)時(shí)僅為32層,很快在2017年就推出了64層QLC。
2018年,英特爾發(fā)布第一款消費(fèi)級(jí)QLC SSD 660p,它基于64層的QLC NAND ,主要是以大容量著稱。
2019年,英特爾又發(fā)布了采用96層QLC的665p,雖然性能和耐久性都有所提升,但英特爾沒(méi)有給665p太多的表現(xiàn)機(jī)會(huì),據(jù)說(shuō)現(xiàn)在已經(jīng)停產(chǎn),一直以來(lái),660p似乎更常見(jiàn)一些。
而在144層的QLC產(chǎn)品中,第一款是企業(yè)級(jí)的SSD,直到2021年三月,英特爾才推出了消費(fèi)級(jí)144層 QLC SSD新品670p。
盡管還是QLC的介質(zhì),但與此前的660p相比性能有很大提升,順序讀寫速度最高分別能達(dá)到3500MB/s和2700MB/s,性能表現(xiàn)在PCIe 3.0SSD中,屬于領(lǐng)先者,與隔壁三星的980EVO Pro相比順序(標(biāo)稱也是3500MB/s)讀寫性能一點(diǎn)不遜色。
670p的外形尺寸是最常見(jiàn)的2280規(guī)格,有512G,1TB和2TB三個(gè)版本,質(zhì)保五年,512GB版本的寫入耐久性相比660p提升了85%,能達(dá)到185TBW,1TB的翻番到370TBW,2TB就是740TBW,換算成DWPD的話是0.2,常見(jiàn)的TLC所能達(dá)到的DWPD也就0.3。
作為一款用于筆記本電腦和臺(tái)式機(jī)上的SSD,適用于內(nèi)容創(chuàng)作生產(chǎn)力和游戲場(chǎng)景,670p主要做了這幾方面的優(yōu)化:
1,真實(shí)場(chǎng)景中的低隊(duì)列深度性能優(yōu)化
英特爾面向?qū)嶋H應(yīng)用場(chǎng)景做的最大優(yōu)化是在QD1的性能表現(xiàn),在QD為1的時(shí)候,4K隨機(jī)度寫分別能達(dá)到2萬(wàn)和5.2萬(wàn)IOPS。
英特爾統(tǒng)計(jì)了個(gè)人電腦用戶使用時(shí)的存儲(chǔ)狀態(tài),發(fā)現(xiàn)90%到95%的處于低隊(duì)列深度1或2的狀態(tài),也就是說(shuō),QD64這種數(shù)字的實(shí)際意義非常有限,低隊(duì)列深度下的性能表現(xiàn)更接近用戶最真實(shí)的體驗(yàn)。
英特爾實(shí)測(cè)后的性能發(fā)現(xiàn),670p在低隊(duì)列深度下的表現(xiàn)相對(duì)于660p有了巨大提升,在大部分場(chǎng)景中,都高于同類QLC SSD的表現(xiàn),在一些測(cè)試場(chǎng)景中的表現(xiàn),甚至比TLC NAND還要好。
2,真實(shí)場(chǎng)景中的混合負(fù)載上的性能優(yōu)化
在實(shí)際應(yīng)用中,混合負(fù)載更能反映用戶的真實(shí)體驗(yàn),很少有場(chǎng)景說(shuō)是只寫不讀或者只讀不寫,英特爾給出了670p在不同讀寫比例下,同時(shí)在低隊(duì)列深度下的性能測(cè)試表現(xiàn),670p的優(yōu)勢(shì)更明顯。
3,功耗的優(yōu)化
與660p相比,670p的閑時(shí)功耗降到了25毫瓦,而低功耗L1.2深度睡眠次狀態(tài)已降至3毫瓦,這有助于延長(zhǎng)移動(dòng)平臺(tái)的電池續(xù)航。
4,可用容量增多
為了避免緩存占用完之后的性能尷尬,會(huì)盡可能的用大一些的Cache,670p自帶了少量的DRAM做Cache,同時(shí)也用SLC緩存,包括動(dòng)態(tài)和靜態(tài)兩部分SLC。
英特爾用動(dòng)態(tài)SLC緩存技術(shù)在寫入數(shù)據(jù)量少的時(shí)候提供更多Cache來(lái)提升性能,在寫入數(shù)據(jù)多的時(shí)候還可以騰出來(lái)更多存儲(chǔ)容量,相對(duì)660p來(lái)說(shuō),670p的用戶實(shí)際可用容量也有了相應(yīng)提升。