圖片來自美光
此外，據(jù)說該技術(shù)的功耗還降低了15％，且性能更高。美光1α的重要特性之一是與上一代產(chǎn)品相比，其40％的比特位密度改進(jìn)里，約有10％是由DRAM的設(shè)計效率驅(qū)動，這意味著僅靠光刻技術(shù)的改進(jìn)還不足以讓DRAM價格相對便宜地進(jìn)行生產(chǎn)制造。
美光的1α節(jié)點(diǎn)仍在使用6F2位線設(shè)計。美光實(shí)施了許多創(chuàng)新來采用最新的制造工藝來縮小其DRAM。
美光DRAM制程工藝集成副總裁，Thy Tran表示，1-alpha比特位密度的提高是由工藝技術(shù)的提高及設(shè)計改進(jìn)提高陣列效率來共同推動。僅陣列效率就能為我們帶來約10％的設(shè)計改良。此外，我們還對工藝技術(shù)進(jìn)行了重大改進(jìn)，大幅縮小了位線和字線的間距，也可以說是縮小了網(wǎng)格。
美光科技與產(chǎn)品執(zhí)行副總裁，Scott DeBoer指出美光的新型1α節(jié)點(diǎn)DRAM在整個數(shù)據(jù)中心，智能邊緣和消費(fèi)類設(shè)備應(yīng)用案例中都實(shí)現(xiàn)了極大的改進(jìn)。
初期，美光會利用1α節(jié)點(diǎn)在其位于臺灣省桃園和臺中的工廠生產(chǎn)8Gb和16Gb DDR4和LPDDR4存儲芯片，但最終將擴(kuò)展到其他類型的存儲設(shè)備上。
比如1α類的技術(shù)對下一代DDR5存儲設(shè)備很有用，與如今的DRAM相比，它們將具有更復(fù)雜的架構(gòu)。1α節(jié)點(diǎn)將逐步部署到美光的產(chǎn)品系列中，并將在2022財年成為美光的主力。美光還將逐步過渡自己的晶圓廠，根據(jù)行業(yè)需求增加產(chǎn)量。
可擴(kuò)展性挑戰(zhàn)
近年來，隨著行業(yè)要求的性能越來越高，存儲技術(shù)得到長足發(fā)展。DDR5和GDDR6X還有即將推出的接口都要比DDR4和GDDR6復(fù)雜得多，這也是DRAM很難擴(kuò)展的原因。但如DDR5和GDDR6X等現(xiàn)代化技術(shù)的出現(xiàn)是不可避免的，因此，美光等巨頭企業(yè)將在工藝制程方面投入更多的資金。
其中，解決物理尺寸縮放難題的方法之一是采用極紫外（EUV）光刻技術(shù)，但美光短期內(nèi)不打算使用EUV光刻技術(shù)來生產(chǎn)制造，其接下來的三個DRAM節(jié)點(diǎn)將繼續(xù)使用深紫外線（DUV）光刻技術(shù)，但美光現(xiàn)在正在考慮將EUV用于其1??制程。同時，即使沒有EUV，美光也承諾為其下一代存儲設(shè)備提高性能和功耗。
但新一代光刻技術(shù)發(fā)展同樣不可避免，因此美光無法忽略EUV。對于目前美光正在評估各種設(shè)計架構(gòu)。假設(shè)美光約每年都要引入一種新的制造工藝，類似DRAM制造商在最近幾年所做的那樣，其1??節(jié)點(diǎn)將在2024年或更晚的某個時候到來。
