英特爾正準(zhǔn)備在D1X 工廠加大對7nm EUV光刻工藝的研發(fā)，這座工廠位于美國俄勒岡州，晶圓廠擴(kuò)建通常需要數(shù)十億美元，而EUV光刻的大規(guī)模采用預(yù)計(jì)會(huì)增加額外成本。

英特爾目前正在努力完善一種稱為極紫外光刻（EUV）的新制造工藝，這將使微芯片能夠在寬度小于0.1微米的電路線上進(jìn)行蝕刻，使其比現(xiàn)在的芯片強(qiáng)大100倍。使用該技術(shù)構(gòu)建的存儲(chǔ)器芯片將能夠存儲(chǔ)比現(xiàn)在多1000倍的信息，該工藝將用于構(gòu)建其新一代7nm芯片。英特爾此前曾表示，計(jì)劃在其完善其10nm芯片后立即開始研發(fā)7nm工藝。

D1X工廠 （圖片來源：英特爾）

競爭對手芯片制造商Advanced Micro Devices公司已經(jīng)完善了自己的7nm工藝，英特爾面臨著加速發(fā)展的壓力，月初，CES消費(fèi)電子展上宣布推出首款Radeon VII芯片。英特爾表示D1X將有助于其更快地響應(yīng)市場，將供應(yīng)時(shí)間縮短約60％。雖然英特爾的行政總部位于硅谷，但D1X是英特爾的主要研發(fā)中心，在該中心設(shè)計(jì)其新一代計(jì)算芯片技術(shù)。

英特爾已告知其承包商預(yù)計(jì)合同周期為18個(gè)月，隨后開始數(shù)月的額外設(shè)備安裝，容量擴(kuò)建相當(dāng)大，預(yù)計(jì)最早的開放日期將是2021年中期。

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