以下為演講實錄：

我們來討論新一代存儲，在2年前的美國閃存峰會上曾有人介紹中國半導體供應的不平衡性，當時驚訝于中國在進口半導體上花費量甚至高于石油，因此，發(fā)展中國自己的半導體行業(yè)對中國是一個戰(zhàn)略性發(fā)展。

而美國也有NAND發(fā)展戰(zhàn)略，還有其他的一些存儲技術，我們看到過去的幾年里，不同類型的新存儲技術不斷出現，還有一些技術未成功。因此今天跟大家介紹的是一條非常明確的道路，如何開發(fā)一個新的存儲技術。

我認為從概念到量產道路明確，但并不簡單直接，而是充滿了荊棘。目前有很多非常受歡迎的新興技術，例如相變存儲，MRAM，ReRAM，NRAM等。

此外，最近的幾個月，我還有一些關于閃存方面的新發(fā)現，以前雖然很早就有的，但我們也當做一個新技術，如果有新的設計，比如機器學習的加速器或人工智能的部署，不同的公司有不同的閃存技術，那么到底哪些技術是我們需要堅持和發(fā)展的。

我認為要盡可能關注物理學，第二個就是技術的長久性，追求長期發(fā)展。我們先來簡單介紹一些比較典型的閃存新技術：

2015年7月28日，美光和英特爾發(fā)布3DXPoint NVM，號稱速度比NAND快1000倍，雖然是2015年發(fā)布，但現在依然可以稱得上是一項新技術。英特爾和美光認為，3DXPoint是最快的NAND，比MRAM便宜，大部分的說法是對的，但是我們可以從不同角度來看，比MRAM更便宜，要用在什么地方？這不是取代，而是一個新的應用場景的出現。

2016年4月13日，Everspin Technologies 發(fā)布了256Mbit STT-MRAM，

2018年8月6日，也就是今年的美國閃存峰會上，IBM宣布發(fā)布基于Everspin STT-MRAM 的SSD。

當然我們還有針對NRAM方面的Carbon Nanotube NVM應用，它能夠實現三百年的數據存儲，但在發(fā)展中還需要一些其他的技術創(chuàng)新，這就是我所講的路徑，其實所有的新技術都有這樣的路徑，這個路徑究竟指的是什么？我分為三個部分。

第一個階段：構建。從概念到樣品，我們做一到兩個模型，希望可以得到一些反饋做成樣品，大家愿意測試。

第二個階段：發(fā)展壯大。我們尋找合作伙伴評估樣品，再進行改進，目的是找到你的閃存有哪些好的應用，有些是優(yōu)點，有些是缺點，我們一定要找一個合適的應用，具有自身明顯優(yōu)勢的應用，如果沒找到，那就是沒找對！找到了才能開始試生產，有愿意給你大規(guī)模生產的工廠。

當然這里有一些所謂的捷徑，剛剛做完演示就投入大規(guī)模量產，或者制作完樣品就直接規(guī)?；?，但有時候效果不是特別好，有時候可能會損失很多的資金。

而第三階段：不斷更新。我們要看長期的發(fā)展，長期的進步。正如比比爾蓋茨所說，“人們總是高估了未來一到兩年的變化，而低估了未來十年的變革”。

每種存儲技術都必須多次從“新”出發(fā)以繼續(xù)長期進步。另外有很多技術指標，我們需要進行考察，需要關注的這些指標或者參數的變化，很早你就會發(fā)現有哪些技術你可能落后了。

對我來說，最關鍵的就是物理，因為好處在于大家的物理都是一樣的，優(yōu)勢，相同，因此我們需要一起找最簡單最適用的方法，如果沒有發(fā)現最完美的解釋，一定要走下一步。

存儲會持續(xù)的發(fā)展，發(fā)展會非?？?，DNA存儲剛剛出現，密度前所未有的高，而且我們預計它現在能將所有的數據庫都可以填滿了，我相信不管未來產業(yè)怎么發(fā)展，還是要走剛才我所走的道路。

總結一下，在技術角度來說，各種各樣的技術理論會越來越多，在合作伙伴方面，我們發(fā)展一定要小心，但是一定要有收益，否則你會浪費很多投資者的資金，對利潤必須要有耐心，但發(fā)展一定要積極，因為它會帶來極大的影響。

崔歡歡