傳統(tǒng)的閃存工藝是我們叫做2D閃存，如今發(fā)展碰到阻礙，接近了工藝極限。在這樣的背景情況下，3D NAND閃存應(yīng)運(yùn)而生。

什么是3D NAND閃存?

如果我們建造二維的停車場(chǎng)，我們的目標(biāo)是停越多車越好，但是當(dāng)面積越來(lái)越小的時(shí)候，每一輛車的空間都逐漸被壓縮;相比3D NAND就是把二維停車場(chǎng)往三維方向走，這樣給閃存的存儲(chǔ)密度提供了一個(gè)全新的發(fā)展方向，不單單是我們有一個(gè)增長(zhǎng)的空間，而且汽車占據(jù)的位置都比較寬松。

經(jīng)常我們會(huì)被問(wèn)到這樣一個(gè)問(wèn)題，說(shuō)你們3D NAND閃存到底是多少納米?這個(gè)問(wèn)題其實(shí)是來(lái)源于大家對(duì)2D閃存一個(gè)傳統(tǒng)的概念，15納米～16納米的時(shí)候，其實(shí)二維結(jié)構(gòu)縮小已經(jīng)達(dá)到了一個(gè)極限，在行業(yè)沒(méi)有辦法通過(guò)二維的結(jié)構(gòu)的縮小來(lái)成功的提升密度，且保持成本下降的趨勢(shì)，所以3D NAND閃存,相當(dāng)于讓二維閃存有了一個(gè)全新的發(fā)展方向。

但是3D NAND閃存最大的優(yōu)點(diǎn)是把閃存的密度提升，而且成本上保持繼續(xù)下降，幫助大家更好的把數(shù)據(jù)存儲(chǔ)利用起來(lái)?，F(xiàn)在業(yè)界主要的閃存80%都是3D NAND。

今年最主要的3D NAND閃存是64層，大家也陸陸續(xù)續(xù)聽(tīng)到一些消息，關(guān)于96層的3D NAND閃存已經(jīng)出現(xiàn)。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)就是在這個(gè)大環(huán)境下開(kāi)始了我們的3D NAND閃存研發(fā)的， 2014年開(kāi)始，通過(guò)與中科院的合作，長(zhǎng)江存儲(chǔ)管理層認(rèn)準(zhǔn)了3D NAND閃存的發(fā)展機(jī)會(huì)，開(kāi)始了閃存的投資和研發(fā)。

今年我們也繼續(xù)的往更高層次的閃存發(fā)展，工廠也在建設(shè)當(dāng)中。這是去年我們成功演示的第一顆閃存的應(yīng)用。我們也在思考怎么樣能夠把研發(fā)的周期減下來(lái)，把最先進(jìn)的閃存技術(shù)推到市場(chǎng)，所以這幾個(gè)是最近這兩年一直在探索的一個(gè)關(guān)鍵點(diǎn)。

最后，講一下長(zhǎng)江存儲(chǔ)的三個(gè)原則，對(duì)我們來(lái)講閃存事業(yè)和芯片事業(yè)最重要的是技術(shù)和創(chuàng)新，我們的對(duì)手非常強(qiáng)大，他們的成功也就是建立在他們的技術(shù)創(chuàng)新上，沒(méi)有技術(shù)創(chuàng)新在這個(gè)行業(yè)是不可能生存下去的，我們需要長(zhǎng)久的持續(xù)的投入，而且要有自己可以掌控的自己的技術(shù)和知識(shí)產(chǎn)權(quán)，這是我們的最重要的第一步。

第二，我們的目標(biāo)是要作為一個(gè)可以盈利的行業(yè)和盈利的企業(yè)，只有盈利我們才有可能持續(xù)的去投入我們的技術(shù)創(chuàng)新，也才有可能為員工為社會(huì)為股東創(chuàng)造利益。

第三，半導(dǎo)體行業(yè)是一個(gè)全球性的行業(yè)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在閃存的研發(fā)上有一些積累，但是我們更需要的是全球各個(gè)的伙伴生態(tài)鏈的支持，能夠把這個(gè)企業(yè)和這個(gè)行業(yè)一起做大做好，為社會(huì)提供更多的價(jià)值。

(本文根據(jù)楊釗文博士 長(zhǎng)江存儲(chǔ)副總裁在2018年存儲(chǔ)半導(dǎo)體峰會(huì)主題演講整理而成，未經(jīng)過(guò)本人審閱!)

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