2013年8月，三星第一代3D垂直閃存（V-NAND）開始量產(chǎn)，目前的主力是第四代V-NAND，64層堆棧，核心容量為256-512Gb，2017年上半年已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)。當前，三星是全球最大的NAND供應商。
“我們每年都會推出新的產(chǎn)品。未來會有更加先進的更多的3D閃存技術發(fā)展，因此，我們相信在未來五年，至少有下一個3D閃存技術會發(fā)布。”歐陽基說。
他同時透露了低延遲產(chǎn)品Z-SSD及新的NGSFF SSD最新動態(tài)。
資料顯示，2016年的舊金山閃存峰會上，三星公布了Z-NAND與Z-SSD的相關信息。后者基于第四代V-NAND，但由于具有一些新的特性（介于DRAM內(nèi)存和NAND閃存之間）、包含獨特的電路設計與優(yōu)化后的主控，三星于是用Z-NAND來命名這款閃存芯片。相比其他NAND，其時公布的Z-SSD延遲大幅降低而讀取速度提高近2倍。
在今年8月的閃存峰會上，三星Z-SSD“概念機”正式落地，命名SZ-985，3個月后，SZ-985于日前正式發(fā)布。
“SZ-985性能參數(shù)比傳統(tǒng)TLC 3D閃存在讀延遲方面降低了5倍。在QoS方面可以縮短到300微秒，降低了100倍，這是非常驚人的指標?！?/p>
Z-SSD超級穩(wěn)定，能夠在整個生命周期保持同樣的延遲時間，不會因為使用時間長短改變延遲性能。當前，三星正在積極開發(fā)第二代產(chǎn)品，成本可以大大降低，而且保持了低延遲的性能。
不過，速度與容量的提升還不夠，三星開發(fā)的更新形態(tài)的固態(tài)硬盤NGSFF SSD，在1U與2U服務器的最高容量分別達到576TB與1PB，而2U的IO則達到200萬，這是一個驚人的場景。
NGSFF (Next Generation Small Form Factor)主要針對服務器應用。相比M.2 SSD標準，NGSFF在尺寸、性能等方面均有較大的差異。不過，當天的演講也沒有公布NGSFF量產(chǎn)計劃。
在國內(nèi)，2012年，西安高新區(qū)首次引進三星電子存儲芯片項目，其一期項目總投資達100億美元。該項目是三星海外投資歷史上投資規(guī)模最大的項目，2014年5月一期項目竣工投產(chǎn)，當前主要生產(chǎn)第四代NAND。
8月30日，三星宣布將在西安高新區(qū)建設三星電子存儲芯片二期項目，確定的首次投資額為70億美元。
2017中國存儲峰會由DOIT傳媒、存儲在線和中國計算機學會存儲專委會聯(lián)合主辦，吸引來自政、企、產(chǎn)、學、研、媒體等各方參與者超過2000人，觀看在線直播觀眾超過7000人。
以下為歐陽基演講實錄。
歐陽基：非常感謝主辦方，前面的嘉賓同行發(fā)言非常精采，但是我要特別感謝在座來自我們的合作伙伴的朋友，冒著嚴寒來聽我們的報告。我記得去年這個時候我也參加了這個峰會，一年過去了，三星半導體存儲有哪些技術突破？下面我給大家報告。
我的報告分成三個內(nèi)容，第一，整個大數(shù)據(jù)行業(yè)的市場趨勢。第二，我們最新的3D閃存技術。第三，行業(yè)解決方案。
我們知道，現(xiàn)在是一個數(shù)據(jù)爆炸的年代，每年的數(shù)據(jù)增長速度越來越快，如果說在十年前，很多的數(shù)據(jù)都來源于手機短信，或者語音，那么現(xiàn)在已經(jīng)進入了一個云計算的年代，我們可以預測，未來五到十年，隨著物聯(lián)網(wǎng)機器學習的改進，未來很多的數(shù)據(jù)都是由機器的連接產(chǎn)生的。
舉一個簡單的例子，智能汽車的發(fā)展。今天已經(jīng)有很多智能卡車投入了商用，未來無人駕駛汽車一定會成為一個潮流，我們看到2025年汽車產(chǎn)生的數(shù)據(jù)量將是目前的一百倍。隨著數(shù)據(jù)量越來越多，這些數(shù)據(jù)將會存放在什么地方？我們認為閃存是最好的解決方案。閃存的需求會越來越大，我們來看一下目前到未來五年閃存的需求有哪些應用來驅動。
首先我們看到目前驅動閃存需求的有兩個因素，第一個是PC/服務器。第二個是智能手機。這兩個分別占了整個閃存需求的60%左右，到了2021年，我們看到PC服務器的需求會超過智能手機的需求，特別是在中國能占到全球閃存需求30%以上。
既然對閃存有這么大的需求，我們看一下三星3D閃存最新的技術。從2013年，三星半導體就發(fā)布了第一代閃存，在過去的五年，我們每年都會推出新的產(chǎn)品，現(xiàn)在已經(jīng)是第四代了，在未來會有更加先進的更多的3D閃存技術發(fā)展，這個答案是肯定的。隨著我們對3D閃存技術的積累，一些技術的進步，我們相信在未來的五年至少有下一個3D閃存技術會發(fā)布。
我們知道三星在高容量閃存方面一直是整個行業(yè)的領先者，從最早的2002年，世界上第一個閃存的發(fā)布，到2013年第一個128Gb閃存開發(fā)成功，到今年已經(jīng)進入了1Tb的年代。我們具體看一下目前三星投入量產(chǎn)的第四代3D閃存技術。
第四代3D閃存采用了64層Stack技術，容量達到512Gb，讀寫速度是800Mbps。我們有256Gb MLC產(chǎn)品，還有256Gb TLC產(chǎn)品，還有512Gb TLC產(chǎn)品，還有1Tb QLC產(chǎn)品，我們看到目前很多手機采用了256Gb的存儲。
第五代閃存馬上就要發(fā)布，它采用的技術超過了90層以上（96層），最大的容量達到1Tb（單顆核心容量），讀寫速度達到了1200Mbps。我們來看看有哪些應用。
今天我會重點介紹3D閃存在服務器、PC和智能汽車上的固態(tài)硬盤的應用。
首先看固態(tài)硬盤，在企業(yè)級的固態(tài)硬盤里，我們有2TB到16TB的NVMe產(chǎn)品，有SAS產(chǎn)品。在數(shù)據(jù)中心方面，我們從1TB到8TB有NVMe產(chǎn)品，還有SATA產(chǎn)品。在消費級產(chǎn)品里，PC服務器，我們有128GB到2TB產(chǎn)品，在SATA會有128GB到1TB的產(chǎn)品。
我們認為傳統(tǒng)的2.5寸的產(chǎn)品都不是為數(shù)據(jù)中心制定的，未來數(shù)據(jù)中心應用更多的是數(shù)據(jù)和實時分析，我們認為低延時高容量和新的固態(tài)硬盤的形態(tài)才是未來數(shù)據(jù)中心最好的解決方案。
Z-NAND產(chǎn)品非常穩(wěn)定，能夠在整個生命周期里保持同樣的延遲時間，不會因為使用時間長短改變延遲性能。大家也許會問，這是不是成本很高？對，我們在積極開發(fā)第二代產(chǎn)品，第二代產(chǎn)品成本可以大大的降低成本，而且保持了低延遲的性能。
具體產(chǎn)品的型號是SZ985，性能參數(shù)比傳統(tǒng)TLC 3D閃存在讀延遲方面降低了5倍。在QoS方面可以縮短到300微秒，降低了100倍，這是非常驚人的指標。
我們看一下高容量，剛才我們講到了世界上第一顆32TB的SSD固態(tài)硬盤，將32顆1TB的芯片放在2.5寸的固體硬盤里，可靠性非常優(yōu)異。
第二個產(chǎn)品，是我們128TB產(chǎn)品，隨著1Tb QLC產(chǎn)品的突破還有我們的技術成熟，我們發(fā)布了2.5寸128TB的固態(tài)硬盤產(chǎn)品。
光有低延時、大容量，就足夠了嗎？我們認為還不夠，我們還要開發(fā)更新形態(tài)的固態(tài)硬盤。我們來看一下。
我們把新的固態(tài)硬盤叫做NGSFF，相比傳統(tǒng)的產(chǎn)品有兩個巨大的優(yōu)點：第一，它的容量可以增加到4倍。第二，它支持雙通道還有熱插拔。
為了演示我們新的形態(tài)，我們做了一個參考的設計，我們把36顆16Tb的NGSFF放在一個U的服務器里，可以在應用的高度達到576TB的容量。如果我們做成兩U的高度，可以突破1PB容量，而且它的IO速度非常優(yōu)異，達到200萬IOPS，所以我們記住1.15PB in 2U Height是非常驚人的場景。
總結起來，其實三星的3D閃存可以滿足各種不同的應用存儲需求，包括剛才講到的智能手機和PC、服務器，以及未來的智能汽車、消費以及機器學習、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等等，我們相信隨著三星3D閃存技術的成熟，我們會給大家提供越來越多更先進的產(chǎn)品。
目前，三星在韓國還有在中國的不同地方都有辦公室。我們的總部在韓國首爾南部，現(xiàn)在我們作為存儲的總部有研發(fā)中心的，特別要提的，今年我們新一個工廠投入量產(chǎn)，主要以閃存為主，因為上個月韓國發(fā)生一次地震，很多人都問對整個閃存有沒有影響，我們也看到了，我們官方給出的說法是我們的員工感到輕微的震感，對生產(chǎn)沒有影響。
在中國，我們在北京、上海、臺灣和深圳有技術支持團隊，能為大中華區(qū)提供技術服務和售后支持。特別要提我們在2012年，在中國已經(jīng)開始投入并且很快量產(chǎn)了我們的閃存產(chǎn)品，目前我們大部分的第四代產(chǎn)品都是從西安出來的。今年，我們會在西安投入第二批，大概70億美金左右，這是我今天的報告，因為三星外面有展臺，大家有什么技術問題可以跟我們溝通。
