西數(shù)據(jù)嵌入式及集成解決方案(EIS) 產(chǎn)品市場管理總監(jiān)-包繼紅女士
數(shù)據(jù)量、數(shù)據(jù)的產(chǎn)生速度、多樣化和其帶來的價值都持續(xù)呈指數(shù)級增長和演變，包括大數(shù)據(jù)、快速數(shù)據(jù)和個人數(shù)據(jù)各個方面。全球眾多消費者都將在智能手機上體驗到這些數(shù)據(jù)的整合。
Counterpoint Research智能設(shè)備及生態(tài)系統(tǒng)研究總監(jiān)閆占孟先生表示：“我們預計到2018年末，全球每部智能手機的平均存儲容量將攀升到超過60GB，用以支持由設(shè)備上人工智能和增強現(xiàn)實所帶來的日益增多的豐富多媒體內(nèi)容和數(shù)據(jù)驅(qū)動體驗。這推動了我們向先進的3D NAND嵌入式閃存解決方案演進，從而進一步推動這些豐富的體驗?！?strong>?
西部數(shù)據(jù)公司嵌入式和集成解決方案副總裁Christopher Bergey表示：“除了360度視頻和多鏡頭攝像頭，移動應(yīng)用中人工智能的出現(xiàn)提供了更加沉浸式的體驗，將把智能手機以數(shù)據(jù)為中心的特點提升到新的水平。我們創(chuàng)新的新型iNAND解決方案推動數(shù)據(jù)在高度密集的移動應(yīng)用和體驗中繁榮。我們將西部數(shù)據(jù)業(yè)界領(lǐng)先的X3 3D NAND技術(shù)、與新款增強的獨特應(yīng)用感知型SmartSLC技術(shù)相結(jié)合，為客戶提供了我們智能的高性能iNAND設(shè)備。這些iNAND系列的全新解決方案使得我們能夠繼續(xù)從容應(yīng)對全球變化多端的移動市場中日益提高的移動數(shù)據(jù)需求。”
iNAND 8521 嵌入式閃存盤-滿足旗艦移動設(shè)備在5G網(wǎng)絡(luò)中的性能需求
iNAND 8521嵌入式閃存盤專為需要使用大量數(shù)據(jù)的用戶設(shè)計，采用UFS 2.1接口和西部數(shù)據(jù)新型第五代SmartSLC 技術(shù)。相比于公司面向旗艦智能手機的上一代iNAND移動解決方案iNAND 7232嵌入式閃存盤，這次的iNAND 8521提供了兩倍的順序?qū)懭胨俣?sup>1和高達10倍的隨機寫入速度2。通過快速并智能響應(yīng)用戶的應(yīng)用性能需求，它使用戶能夠快速玩轉(zhuǎn)虛擬現(xiàn)實游戲，并且快速下載高清電影。此外，當服務(wù)提供商向5G網(wǎng)絡(luò)演進時，iNAND 8521嵌入式閃存盤卓越的數(shù)據(jù)傳輸速度還將允許移動用戶利用更快的Wi-Fi和網(wǎng)絡(luò)增強功能。
閃迪iNAND 8521 UFS嵌入式閃存盤
iNAND 7550嵌入式閃存盤-適用于靈敏的高容量主流智能手機
iNAND 7550嵌入式閃存盤幫助移動設(shè)備制造商打造存儲空間充足且具有高性價比的智能手機和計算設(shè)備，以滿足消費者不斷增長的存儲需求，同時提供快速且具吸引力的應(yīng)用體驗。iNAND 7550嵌入式閃存盤基于e.MMC 5.1規(guī)范，是目前西部數(shù)據(jù)基于廣為使用的e.MMC接口的高性能iNAND嵌入式解決方案，可提供高達260 MB/秒的順序?qū)懭胄阅芤约?0K IOPS和15K IOPS的隨機讀/寫性能3，更有助于同時加快自身和應(yīng)用啟動的速度。
閃迪iNAND 7550 嵌入式閃存盤
產(chǎn)品上市和其他信息
iNAND 8521和iNAND 7550嵌入式閃存盤是西數(shù)旗下閃迪的產(chǎn)品線。十余年來，該系列得到了全球主流智能手機和平板電腦制造商的信任。西部數(shù)據(jù)公司目前向OEM提供容量為256GB4的iNAND 8521和iNAND 7550閃存盤的樣品。
